在AI芯片封裝中,選擇適合的錫膏需綜合考慮芯片功率密度、封裝工藝、可靠性要求及散熱性能。基于行業技術趨勢與材料特性,以下錫膏類型更具優勢:
一、合金成分選擇深化分
SAC305與SAC405對比
SAC405:銀含量提升1%,機械強度提高約15%,但成本增加20%-30%,適合對可靠性要求嚴苛的場景(如數據中心GPU)。
SAC305:成本與性能平衡,適用于大多數AI芯片,尤其是需要長期穩定運行的設備。
替代方案:SAC-X系列(如SAC-Q,含微量Ni、Sb/Bi),通過合金化優化抗熱疲勞性能,成本介于SAC305與SAC405之間。
低溫錫膏(Sn-Bi)風險控制
脆性改善:添加微量In(銦)或Ag(銀)可提升延展性,但需控制添加量(<3%)以避免熔點波動。
底部填充膠:推薦使用環氧樹脂基膠,固化溫度需低于120°C,避免二次熱損傷。
二、顆粒尺寸(Type)優化建議
Type 4-Type 6適用場景
Type 4:適用于間距0.4-0.6mm的BGA、LGA封裝,印刷精度±10μm。
Type 5:適用于間距0.3-0.4mm的倒裝芯片(Flip Chip)、μBump,印刷精度±10μm。
Type 6-8:適用于間距<0.3mm的倒裝芯片(Flip Chip)、μBump,印刷精度±5μm。
趨勢:隨著AI芯片集成度提升,Type 6以上的型號需求將持續增長。
新型顆粒技術
納米級粉末(T9、T10型號超微焊粉):粒徑<5μm,適用于間距<20μm的HBM堆疊,但需特殊設備(如激光轉印)支持。
球形度控制:顆粒球形度>95%可減少印刷性能,提升焊點一致性。
三、焊劑類型技術細節
免清洗焊劑(No-Clean)
活性等級:建議選擇M(中等活性)或L(低活性),避免高活性焊劑腐蝕敏感元件。
殘留物控制:需通過離子污染測試(如IPC-TM-650 2.3.25),確保鹵化物當量<1.5μg/cm2。
水溶性焊劑(OR)
清洗工藝:推薦使用去離子水+超聲波清洗,溫度50-60°C,時間3-5分鐘。
環保要求:需符合RoHS 2.0標準,避免含鹵助焊劑。
四、熱性能優化技術路徑
導熱增強技術
納米金屬顆粒:Cu納米顆粒(<50nm)可提升導熱率10%-15%,但需控制添加量(<1%)以避免熔點波動。
復合材料:SAC305+Al?O?納米顆粒(<100nm)可實現導熱率60-80 W/m·K,適用于高功率AI芯片。
抗熱疲勞技術
微量Ni添加:Ni含量0.05%-0.3%可抑制IMC生長,延長焊點壽命。
合金化設計:SAC-X系列通過調整Ag/Cu比例,優化熱循環性能。
五、工藝兼容性關鍵考量
回流溫度曲線優化
溫度范圍:建議峰值溫度240-250°C,時間60-90秒,確保焊點充分熔合。
升溫速率:控制在2-3°C/s,避免熱沖擊。
先進封裝技術適配
異構集成:推薦分層焊接(如SAC305+Sn-Bi組合),先高溫焊接核心芯片,再低溫焊接敏感結構。
3D IC堆疊:需多次回流時,優先選擇抗熱衰退性強的合金(如SAC-X系列),并優化溫度曲線以減少熱損傷。
六、實際應用案例補充
高性能AI芯片(如NVIDIA/AMD)
方案:SAC305(Fitech FR209)+Type 4/5+免清洗焊劑
優勢:高銀含量抗熱疲勞,細顆粒適配微間距,殘留物少兼容后續工藝。
驗證:通過溫度循環測試(1000次,-40°C~125°C),焊點空洞率<5%。
車載/服務器AI芯片
方案:SAC405+高活性焊劑
優勢:極端溫度耐受,強潤濕性確保可靠連接。
驗證:執行跌落測試(1.5m高度,6面各3次),無焊點開裂。
消費電子(邊緣AI)
方案:SnCu或Sn-Bi+Type 4
優勢:平衡成本與性能,低溫工藝減少熱損傷。
驗證:剪切力測試(20N以上),焊點強度達標。
七、驗證步驟補充建議
工藝試驗
印刷測試:驗證錫膏脫模性、印刷一致性(如CTQ指標:橋接率<0.5%,坍塌率<10%)。
回流模擬:通過熱成像分析溫度分布,確保均勻性。
可靠性測試
溫度循環:執行1000次循環(-40°C~125°C),監測焊點電阻變化。
跌落測試:1.5m高度,6面各3次,檢查焊點裂紋。
剪切力測試:測試焊點強度,確保>20N。
微觀分析
SEM/EDS:檢查IMC層厚度(1-3μm)、均勻性及空洞率(<5%)。
X射線檢測:分析焊點內部缺陷,確保無空洞或裂紋。
八、總結與推薦
九、未來趨勢
納米材料應用:石墨烯、碳納米管等增強導熱性能,降低熱阻。
混合鍵合兼容:開發同時支持Cu-Cu混合鍵合與錫膏焊接的復合材料。
AI驅動設計:利用機器學習優化錫膏成分與工藝參數。
通過綜合考量合金成分、顆粒尺寸、焊劑類型、熱性能及工藝兼容性,可顯著提升AI芯片的電性能、熱性能及可靠性,滿足高算力、低功耗需求。
審核編輯 黃宇
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