半導體人必懂的50個‘黑話’：從光刻到封裝，一文解鎖行業暗號！-江蘇泊蘇系統集成有限公司

以下是半導體工藝行業中常見的“黑話”（行業術語）匯總，涵蓋晶圓制造、封裝測試、設備材料等環節，幫助快速理解行業交流中的專業術語：

一、前段工藝（Front-End）

1. CD（Critical Dimension，關鍵尺寸）：芯片上最小結構的尺寸（如晶體管柵極寬度），決定性能的關鍵參數。

2. Overlay（套刻精度）：多層光刻圖案之間的對準精度，誤差過大會導致電路失效。

3. Litho（光刻）：通過光刻機將電路圖案轉移到晶圓上的工藝。 4. Etch（刻蝕）：用化學或物理方法去除不需要的材料，形成電路結構。

5.Depo（沉積）：在晶圓表面沉積薄膜材料（如CVD、PVD）。

6.Dose（劑量）：離子注入工藝中的摻雜濃度。

7.RTA（快速熱退火）：高溫快速處理晶圓以修復晶格損傷。

8. DUV（深紫外光刻）：使用193nm波長光源的光刻技術。

9. EUV（極紫外光刻）：更先進的13.5nm波長光刻技術，用于5nm以下制程。

10. Hot Lot（熱批）：需要優先處理的緊急晶圓批次。

二、中段工藝（Middle-End）

1. CMP（Chemical Mechanical Planarization，化學機械拋光）：平坦化晶圓表面的工藝。

2. STI（Shallow Trench Isolation，淺溝槽隔離）：用于隔離晶體管的絕緣結構。

3. HKMG（High-K Metal Gate，高介電金屬柵極）：提升晶體管性能的柵極結構。

4. FinFET（鰭式場效應晶體管）：3D晶體管結構，提升芯片密度與能效。

5. GAA（Gate-All-Around，環繞柵極）：下一代晶體管技術，取代FinFET。

三、后段工藝（Back-End）

1. Bumping（凸塊）：在芯片表面制作金屬凸點，用于封裝連接。 2. Underfill（底部填充）：封裝時填充芯片與基板之間的空隙以增強可靠性。

3. RDL（Redistribution Layer，重布線層）：重新布局芯片引腳連接。

4. TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）：穿透硅片的垂直互連技術，用于3D封裝。 5. FOWLP（Fan-Out Wafer Level Packaging，扇出型晶圓級封裝）：高密度封裝技術。

四、通用術語

1. Fab（晶圓廠）：半導體制造工廠（如臺積電TSMC、三星Foundry）。 2. Wafer（晶圓）：硅片，用于制造芯片的圓形基底。

3. Die（裸片）：晶圓上切割下來的單個芯片。

4. Mask（光罩）：包含電路圖案的模板，用于光刻。

5. WAT（Wafer Acceptance Test，晶圓驗收測試）：晶圓出廠前的電性測試。

6. Killer Defect（致命缺陷）：導致芯片失效的缺陷。

7. Cycle Time（周期時間）：晶圓從投片到出貨的總時間。

8. MPW（Multi-Project Wafer，多項目晶圓）：多個設計共享同一晶圓以降低成本。

五、測試與質量

1. CP（Chip Probing，晶圓測試）：在切割前測試晶圓上的裸片。 2. FT（Final Test，成品測試）：封裝后的最終測試。

3. Yield（良率）：合格芯片占總生產量的百分比。

4. PPM（Parts Per Million，百萬分缺陷率）：衡量質量的指標。 5. Golden Sample（黃金樣品）：用于對比測試的標準樣品。

六、材料與設備

1. Photoresist（光刻膠）：光刻工藝中的感光材料。

2. Slurry（拋光液）：CMP工藝中使用的化學研磨液。

3. FOUP（Front-Opening Unified Pod，晶圓傳送盒）：存放和運輸晶圓的容器。

4. Scrubber（洗滌器）：處理工藝廢氣的環保設備。

5. ASML：全球最大的光刻機廠商（EUV技術壟斷者）。

七、行業黑話（口語化）

1. “跑片”：晶圓在Fab內不同機臺間的流轉。

2. “卡脖子”：因關鍵設備/材料短缺導致生產受阻（如EUV光刻機）。

3. “打棗”：快速調試或臨時修復工藝問題。

4. “吃參數”：通過調整工藝參數解決良率問題。

5. “炸機”：設備故障導致晶圓報廢。