引言

隨著第三代半導(dǎo)體SiC器件在工業(yè)激光電源中的廣泛應(yīng)用，500kHz以上高頻LLC諧振拓?fù)涞臏y試面臨新的挑戰(zhàn)。本文針對某80A輸出工業(yè)激光電源系統(tǒng)，詳細闡述采用高頻電流探頭測試開關(guān)波形、諧振腔相位及動態(tài)響應(yīng)的關(guān)鍵技術(shù)。

一、測試設(shè)備選型與配置

探頭選型要求

帶寬≥100MHz（推薦某品牌PKC6100B）

額定電流≥100A（考慮80A額定+20%裕量）

最小分辨率≤10mA（滿足SiC器件快速開關(guān)需求）

系統(tǒng)搭建

graph LR
示波器-->電流探頭-->諧振腔
電源控制器-->同步觸發(fā)
電子負(fù)載-->動態(tài)波形

二、核心測試項目與流程

（1）高頻開關(guān)電流波形測試

操作步驟：

將探頭鉗置于SiC MOSFET源極

設(shè)置示波器采樣率≥2.5GS/s

開啟20MHz帶寬限制功能

測量關(guān)鍵參數(shù)：

上升時間（典型值<15ns）

振鈴幅度（應(yīng)<10%峰值）

注意事項：

需采用差分測量消除共模干擾

推薦使用同軸電纜縮短接地回路

（2）諧振腔電流相位分析

測試方法：

雙探頭同步測量：

通道1：變壓器原邊電流

通道2：諧振電容電壓

啟用示波器XY模式觀察李薩如圖形

相位差計算公式：

ΔΦ=arcsin(A/B)×(180°/π)

其中A為橢圓短軸，B為長軸

典型數(shù)據(jù)：

額定負(fù)載時相位差應(yīng)保持45°±5°

輕載時可能達到60°

（3）動態(tài)負(fù)載響應(yīng)測試

測試流程：

配置電子負(fù)載階躍變化（20%-80%-20%）

捕獲三個關(guān)鍵時段：

瞬態(tài)響應(yīng)時間（目標(biāo)<5μs）

過沖幅度（應(yīng)<15%）

穩(wěn)態(tài)恢復(fù)精度

數(shù)據(jù)分析要點：

FFT分析頻譜成分

比較SiC與Si器件的恢復(fù)特性差異

三、關(guān)鍵技術(shù)難點解決方案

EMI干擾抑制

采用鐵氧體磁環(huán)濾波

推薦PI型濾波器參數(shù)：

L=100nH, C=10nF×2

探頭安裝誤差修正

位置誤差應(yīng)<5mm

延時校準(zhǔn)公式：

t_cal=(l×ε_r^0.5)/c

四、測試報告規(guī)范

應(yīng)包含：

溫升數(shù)據(jù)（25℃/65℃對比）

效率曲線圖（含不同負(fù)載點）

關(guān)鍵波形截圖標(biāo)注：

時間刻度：200ns/div

電流刻度：20A/div

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審核編輯 黃宇