電流傳感器在各類應用場景中廣泛使用。傳統(tǒng)電阻式電流檢測技術通過測量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實現(xiàn)電氣隔離，且在測量大電流時能效較低。

另一種主流技術基于霍爾效應原理。霍爾電流傳感器通過感應被測電流產(chǎn)生的磁場進行非接觸測量，其電氣隔離特性可提供更高的安全性，同時避免了分流電阻方案中的功率損耗問題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。

開環(huán)電流檢測技術

圖1展示了開環(huán)式霍爾電流傳感器的典型結構。被測電流流經(jīng)磁芯內部的導體，在磁環(huán)內產(chǎn)生感應磁場。置于磁芯氣隙中的霍爾元件將檢測該磁場強度，并輸出與輸入電流成正比的電壓信號。該信號通常需要經(jīng)過調理電路處理，可能包含簡單放大或復雜的漂移補償?shù)裙δ堋?/p>圖1

磁芯的必要性分析

假設取消磁芯結構，根據(jù)畢奧-薩伐爾定律，1A電流在1cm距離處產(chǎn)生的磁場僅為0.2高斯(地磁場約0.5高斯)。顯然，自由空間中的弱磁場難以精確測量。磁芯的高磁導率特性可將磁場強度提升數(shù)百至數(shù)千倍，其本質是充當磁場匯聚器。

氣隙設計的影響

如圖1所示，磁芯設計包含安置霍爾元件的氣隙。該結構會導致磁力線邊緣擴散效應(圖2)，使部分磁通偏離預期路徑，降低霍爾元件的實際感應強度。但當氣隙截面積遠大于長度時，這種影響可控制在較小范圍內。

氣隙長度直接影響兩大關鍵參數(shù)：磁增益(高斯/安培比)和最大可測電流。較小氣隙能提高靈敏度，但會降低磁芯飽和閾值(圖3)。除氣隙外，磁芯材料、尺寸及幾何形狀同樣影響性能。針對200A以上大電流應用的磁芯選型，可參考Allegro的應用指南。

開環(huán)方案的局限性

開環(huán)結構易受線性度誤差、增益漂移等非理想因素影響。例如傳感器溫漂會直接反映在輸出端，且磁芯飽和效應會限制測量范圍。此外，霍爾元件失調電壓和磁芯矯頑力也會引入誤差。

閉環(huán)電流檢測技術

如圖4所示，閉環(huán)方案基于負反饋原理工作。次級繞組中的補償電流由反饋環(huán)路調節(jié)，始終維持磁芯凈磁通為零。根據(jù)安匝平衡原理可得：

Np×Ip = Ns×Is

當Np=1時，輸出電壓Vout=Rm×Is，最終推導出：

Vout = Rm×(Ip/Ns)

該結構中，比例系數(shù)僅與匝數(shù)比和采樣電阻相關，二者均具有極佳線性度。

開環(huán)與閉環(huán)方案對比

閉環(huán)架構通過負反饋有效抑制線性度和增益誤差，不受傳感器靈敏度漂移影響，精度顯著提升。其磁芯始終工作在近零磁通狀態(tài)，抗飽和能力更強。但閉環(huán)方案需要驅動功率放大器，導致PCB面積、功耗及成本增加。

穩(wěn)定性是閉環(huán)傳感器的另一挑戰(zhàn)，需通過系統(tǒng)傳遞函數(shù)分析確保穩(wěn)定性。帶寬限制雖可避免振蕩，但會延長響應時間。而開環(huán)結構通常具有更快動態(tài)響應。

需注意的是，兩種方案均受霍爾元件失調電壓影響(典型InSb元件失調約±7mV)。