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LM5060-Q1系列 汽車 5.5V 至 65V 高壓側保護控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-13 18:03 ? 次閱讀

LM5060 高側保護控制器可在正常開/關轉換和故障條件下對高側 N 溝道 MOSFET 進行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時間控制。POWER GOOD輸出指示輸出電壓何時達到輸入電壓,并且MOSFET完全導通。提供輸入 UVLO (帶滯后) 以及可編程輸入 OVP。使能輸入提供遠程開或關控制。可編程 UVLO 輸入可用作第二個使能輸入,以實現安全冗余。單個電容器對初始啟動 V 進行編程GS系列故障檢測延遲時間,轉換 VDS 系列故障檢測延遲時間和連續過流 VDS 系列故障檢測延遲時間。當檢測到的故障情況持續超過允許的故障延遲時間時,MOSFET 將被鎖定,直到使能輸入或 UVLO 輸入先切換為低電平,然后再切換為高電平。
*附件:lm5060-q1.pdf

特性

  • 提供汽車級 / AEC Q-100
  • 寬工作輸入電壓范圍:
    5.5 V 至 65 V
  • 功能安全能力
    • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
  • 禁用模式下的靜態電流小于 15μA
  • 受控的輸出上升時間,用于安全連接電容負載
  • 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅動
  • 帶遲滯的可調欠壓鎖定 (UVLO)
  • UVLO 用作需要安全冗余的系統的第二個使能輸入
  • 可編程故障檢測延遲時間
  • 檢測到負載故障后 MOSFET 閉鎖
  • 低漏極有效開路 POWER GOOD (nPGD) 輸出
  • 可調輸入過壓保護 (OVP)
  • 過壓關斷后立即重啟
  • 10 引腳 VSSOP

參數

image.png

方框圖

image.png

1. 產品概述

LM5060-Q1是一款高性能的高側保護控制器,專為汽車級應用設計,符合AEC-Q100標準。它提供了對高側N通道MOSFET的智能控制,在正常開關轉換和故障條件下均能表現出色。

2. 主要特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:5.5V至65V。
  • ?低靜態電流?:禁用模式下小于15μA。
  • ?可控輸出上升時間?:適用于安全連接電容性負載。
  • ?電荷泵門驅動?:用于外部N通道MOSFET。
  • ? 可調欠壓鎖定(UVLO) ?:具有遲滯功能。
  • ?可編程故障檢測延遲時間?。
  • ?MOSFET故障鎖定?:檢測到負載故障后鎖定關斷。
  • ?活動低開漏電源良好(nPGD)輸出?。
  • ? 可調輸入過壓保護(OVP) ?:過壓關斷后立即重啟。

3. 應用領域

  • 汽車車身電子
  • 工業電源分配和控制

4. 功能描述

  • ?過流保護?:通過監測MOSFET的電壓降來實現,當電壓降超過可調閾值且持續一定時間后,MOSFET被禁用。
  • ?OVP和UVLO監測?:對輸入線路進行過壓和欠壓監測。
  • ?使能輸入?:提供遠程開關控制。
  • ?可編程UVLO輸入?:可用作安全冗余的第二使能輸入。
  • ?nPGD輸出?:報告N通道MOSFET的狀態。

5. 電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:5.5V至65V。
  • ?靜態電流?:啟用模式下1.4mA,禁用模式下9μA,待機模式下0.56mA。
  • ?GATE控制?:正常操作期間GATE引腳電壓被內部穩壓器鉗位在約16.8V以上。
  • ?OVP和UVLO閾值?:可編程,具有遲滯。
  • ?nPGD低電壓?:80mV(典型值)。

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:10引腳VSSOP。
  • ?尺寸?:3.00mm x 3.00mm。

7. 熱特性

  • ?熱阻?:RθJA為162.1°C/W。

8. 設計支持

  • 提供詳細的應用信息、典型應用電路、布局指南和熱考慮因素。
  • 包括相關文檔、社區資源、商標信息、靜電放電警告和術語表。

9. 訂購信息

提供多種封裝和數量選項,具體請參考數據手冊中的訂購信息部分。

LM5060-Q1是一款功能強大、靈活且可靠的高側保護控制器,適用于需要高安全性和可靠性的汽車和工業應用。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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