TPS22963/64 是一款小型、超低的 R上負載開關 受控打開。該設備包含低 RDSON 系列N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作，開關電流高達 3 A。一 集成電荷泵偏置 NMOS 開關，以實現低開關導通電阻。這 開關由 ON/OFF 輸入 （ON） 控制，該輸入 （ON） 能夠直接與 低壓 GPIO 控制信號。TPS22963/64 器件的上升時間由內部控制 以避免浪涌電流。
*附件：tps22963c.pdf

TPS22963/64 提供反向電流保護。當電源開關被禁用時， 該設備不允許電流流向開關的輸入側。相反 電流保護功能僅在設備被禁用時激活，以便允許 某些應用的有意反向電流（當開關啟用時）。

TPS22963/64 采用小型、節省空間的 6 引腳 WCSP 封裝，并且 額定工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C 的自由空氣溫度。

特性

• 集成 N 溝道負載開關
• 輸入電壓范圍：1 V 至 5.5 V
• 內部 Pass-FET R DSON 系列 = 8 mΩ（典型值）
• 超低導通電阻
  • R上V 時 = 13 mΩ（典型值） 在 = 5 伏
  • R上V 時 = 14 mΩ（典型值） 在 = 3.3 伏
  • R上V 時 = 18 mΩ（典型值） 在 = 1.8 伏
• 3A 最大連續開關電流
• 反向電流保護（禁用時）
• 低關斷電流 （760 nA）
• 低閾值 1.3V GPIO 控制輸入
• 受控轉換速率以避免浪涌電流
• 快速輸出放電（僅限 TPS22964）
• 六端子晶圓芯片級封裝（所示標稱尺寸 - 有關詳細信息，請參閱附錄）
  • 0.9 mm x 1.4 mm，0.5 mm 間距，0.5 mm 高 （YZP）
• ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
  • 2 kV 人體模型（A114-B，II 類）
  • 500V 充電器件模型 （C101）

參數

1. 產品概述

TPS22963C是一款超低壓導通電阻（R ON）負載開關，專為便攜式消費類設備設計，如智能手機、平板電腦等。該器件集成了N通道MOSFET，可在1V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持高達3A的開關電流。

2. 主要特性

• ?超低R ON?：在V IN=5V時，典型R ON為13mΩ；在V IN=3.3V時為14mΩ；在V IN=1.8V時為18mΩ。
• ?反向電流保護?：當開關禁用時，防止電流從輸出流向輸入。
• ?受控上升時間?：避免開啟時的浪涌電流。
• ?低關斷電流?：典型值為760nA。
• ?低閾值GPIO控制輸入?：兼容1.2V至5.5V的GPIO信號。
• ?小型封裝?：采用6引腳WCSP封裝，尺寸為0.9mm x 1.4mm，高度為0.5mm。

3. 功能描述

• ?開關控制?：通過ON引腳控制開關狀態，高電平使能開關。
• ?快速輸出放電?（TPS22964C特有）：當開關禁用時，通過273Ω電阻將輸出放電至地，防止輸出懸浮。
• ?反向電流保護?：當開關禁用且V IN或V OUT大于1V時，防止反向電流。

4. 應用領域

• 智能手機
• 筆記本電腦和超極本
• 平板電腦
• 固態硬盤（SSD）
• 數字電視/IP機頂盒
• POS終端和媒體網關

5. 電氣特性

• ?絕對最大額定值?：輸入電壓范圍-0.3V至6V，輸出電壓范圍-0.3V至6V，ON引腳電壓范圍-0.3V至6V，最大連續開關電流3A。
• ?推薦操作條件?：輸入電壓范圍1V至5.5V，輸出電壓范圍0V至5.5V。
• ?熱特性?：最大結溫125°C，熱阻（RθJA）為132°C/W。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：DSBGA（6引腳）
• ?尺寸?：1.40mm x 0.90mm，引腳間距0.5mm，高度0.5mm

7. 應用信息

• ?輸入電容?：建議在VIN和GND引腳之間放置一個1μF的陶瓷電容，以減少開關開啟時的輸入電壓降。
• ?輸出電容?：建議在VOUT和GND引腳之間放置一個0.1μF的陶瓷電容，以濾除輸入電壓源的電壓毛刺。
• ?待機電源管理?：通過關閉處于待機狀態的模塊電源，顯著減少泄漏電流，延長電池壽命。

8. 布局指南

• 所有跡線應盡可能短，輸入和輸出電容應靠近器件放置，以減少寄生電感的影響。
• 使用寬跡線連接VIN、VOUT和GND，以最小化寄生電氣效應。

9. 設計資源

• 提供詳細的應用說明、典型應用電路圖以及布局示例。
• TI E2E在線社區提供技術支持和社區資源。

通過上述總結，可以全面了解TPS22963C的主要特性、功能、應用領域、電氣特性、封裝尺寸、應用信息、布局指南以及設計資源。