TPL7407L 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該設備包括 7 個 NMOS 晶體管，具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于 切換感性負載。單個 NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600 mA。新增功能 增加了調節和驅動電路，可在所有 GPIO 范圍 （1.8 V – 5.0 V）。晶體管可以并聯以獲得更高的電流能力。
*附件：tpl7407l.pdf

TPL7407L 的主要優點是其更高的電源效率和更低的泄漏 雙極達林頓實現。使用較低的 V老用戶是 功耗不到電流小于 250 mA 的傳統繼電器驅動器的一半 每個通道。

特性

• 600mA 額定漏電流（每個通道）
• 7 通道
  達林頓陣列的 CMOS 引腳對引腳改進（例如 ULN2003A）
• 功率效率高（極低的 V 老 )
  • V 電壓降低不到 4 倍老在 100 mA 時比達林頓陣列
• 每通道 < 10 nA 的極低輸出泄漏
• 擴展環境溫度范圍：T 一個 = –40°C 至 125°C
• 高壓輸出 40 V^^
• 與 1.8V 至 5.0V 微控制器
  和邏輯接口兼容
• 內部續流二極管，用于感應反沖
  保護
• 輸入下拉電阻器允許對
  輸入驅動器進行三態
• 輸入 RC 緩沖器可消除嘈雜環境中的
  雜散作
• 電感式負載驅動器應用
• ESD 保護超過 JESD 22
  • 2kV HBM、500V CDM
• 采用 16 引腳 SOIC 和 TSSOP 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

TPL7407L是一款高電壓、高電流NMOS晶體管陣列，包含7個獨立的NMOS晶體管通道，適用于驅動各種感性負載和電阻性負載。

2. 主要特性

• ?高電壓輸出?：最高可達40V
• ?高電流能力?：每個通道最大可驅動600mA
• ?低輸出泄漏?：每個通道小于10nA
• ?寬溫度范圍?：工作溫度從-40°C至125°C
• ?低功耗?：在100mA時，VOL低于4倍于傳統達林頓陣列
• ?ESD保護?：符合JESD 22-A114標準，HBM ±2kV，CDM ±500V
• ?封裝選項?：提供16引腳SOIC和TSSOP封裝

3. 應用領域

• 感性負載驅動（如繼電器、步進電機、直流電機、電磁閥）
• LED驅動
• 邏輯電平轉換
• 門極和IGBT驅動

4. 功能描述

• ?內部自由輪二極管?：提供感性負載反激保護
• ?輸入下拉電阻?：允許輸入驅動器三態化
• ?輸入RC吸收器?：消除噪聲環境中的虛假操作
• ?內部LDO?：為門極驅動電路供電

5. 電氣特性

• ?絕對最大額定值?：輸出引腳對地電壓-0.3V至40V，輸入引腳對地電壓-0.3V至30V，連續漏電流每通道600mA
• ?推薦操作條件?：輸出引腳電壓0V至40V，COM引腳電壓8.5V至40V，連續漏電流每通道500mA
• ?電氣參數?：
  • VOL（VDS）：在VIN ≥ 1.5V，ID = 100mA時，典型值為0.32V
  • IOUT(OFF)：輸出關斷狀態泄漏電流，在VOUT = 24V，VIN ≤ 1.0V時，典型值為10nA
  • VF：鉗位正向電壓，在IF = 200mA時，典型值為1.4V

6. 封裝與尺寸

• ?SOIC封裝?：9.90mm x 3.91mm
• ?TSSOP封裝?：5.00mm x 4.40mm

7. 布局指南

• ?輸入引腳?：使用細線跡，盡可能分離輸入通道以減少串擾
• ?輸出引腳?：使用粗線跡以驅動高電流
• ?COM引腳?：建議使用旁路電容以限制COM引腳電壓的瞬態變化率

8. 熱考慮

• ?最大結溫?：150°C
• ?熱阻?：SOIC封裝為91.9°C/W，TSSOP封裝為115.2°C/W
• ?散熱?：通過PCB布局優化θJA值，或使用外部散熱片和冷卻機制

9. 設計資源

• 提供詳細的應用信息和典型應用電路圖
• TI E2E在線社區提供設計支持和快速解答問題的服務

通過以上總結，可以全面了解TPL7407L的主要特性、功能描述、電氣特性、封裝尺寸、布局指南、熱考慮以及設計資源。