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LM74502H 具有負載斷開、OVP 和高柵極驅動的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-08 11:27 ? 次閱讀

LM74502 LM74502H 是一款控制器,可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用,以實現低損耗反極性保護和負載斷開解決方案。該器件還可以配置為驅動高壓側 MOSFET,作為具有過壓保護功能的負載開關。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓,例如 12 V、24 V 和 48 V 輸入系統。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。LM74502 LM74502H 沒有反向電流阻塞功能,僅適用于輸入反極性保護。
*附件:lm74502h.pdf

LM74502控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動。當使能引腳為低電平時,控制器關閉并消耗大約 1 μA 的電流,因此在進入睡眠模式時提供低系統電流。LM74502 和 LM74502H 提供可編程的過壓和欠壓保護,在發生這些故障事件時切斷輸入源的負載。這些器件采用 2.9 mm × 1.6 mm 8 引腳 DDF 封裝,額定溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性

  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動)
  • –65V 輸入反向電壓額定值
  • 用于驅動的集成電荷泵
    • 外部背靠背 N 溝道 MOSFET
    • 外部高邊開關 MOSFET
    • 外部反極性保護 MOSFET
  • 柵極驅動型號
    • LM74502:60μA 峰值柵極驅動源容量
    • LM74502H:11mA 峰值柵極驅動源容量
  • 2.3A 峰值柵極灌電流容量
  • 使能引腳功能
  • 45μA 典型工作靜態電流(EN/UVLO = 高)
  • 1μA 關斷電流(EN/UVLO = 低)
  • 可調的過壓和欠壓保護
  • -40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 采用 8 引腳 SOT-23 封裝,2.90 mm × 1.60 mm

參數
image.png

方框圖
image.png

概述

LM74502H是一款低靜態電流(IQ)高側開關控制器,具有反向極性和過壓保護功能。該設備適用于工廠自動化、工業電機驅動、工業運輸以及電源反向極性保護等應用。LM74502H通過外部背對背連接的N溝道MOSFET實現低損耗的反向極性保護和負載斷開功能,同時也可配置為驅動高側MOSFET作為具有過壓保護功能的負載開關。

主要特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:3.2V至65V(啟動電壓3.9V)
  • ?高反向電壓額定值?:-65V
  • ?集成電荷泵?:驅動外部N溝道MOSFET、高側開關MOSFET或反向極性保護MOSFET
  • ?兩種門極驅動變體?:
    • LM74502:60μA峰值門極驅動源能力
    • LM74502H:11mA峰值門極驅動源能力
  • ?低靜態電流?:45μA(典型值),關斷電流1μA
  • ?可調過壓和欠壓保護?
  • ?工作溫度范圍?:-40°C至+125°C
  • ?小型封裝?:8引腳SOT-23,2.90mm × 1.60mm

應用

  • 工廠自動化和控制(如PLC數字輸出模塊)
  • 工業電機驅動
  • 工業運輸
  • 電源反向極性保護

功能描述

  • ? 輸入電壓(VS) ?:用于為LM74502H的內部電路供電,設計可承受-65V至+65V的電壓范圍。
  • ? 電荷泵(VCAP) ?:為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅動電壓,通過外部電容充電。
  • ? 門極驅動(GATE, SRC) ?:控制外部N溝道MOSFET,LM74502H提供兩種門極驅動變體,適用于不同的應用需求。
  • ? 使能(EN/UVLO) ?:允許通過外部信號啟用或禁用門極驅動器,EN/UVLO引腳可承受高達±65V的電壓。
  • ? 過壓保護(OV) ?:通過OV引腳提供可編程的過壓保護功能,當OV引腳電壓超過設定閾值時,關閉柵極驅動。

設備功能模式

  • ?關斷模式?:當EN/UVLO引腳電壓低于指定閾值時,LM74502H進入關斷模式,門極驅動器和電荷泵均被禁用。
  • ?導通模式?:當滿足特定條件時,LM74502H進入導通模式,門極驅動器啟用,外部MOSFET完全導通。

典型應用電路

  • 提供了反向極性保護和負載斷開的典型應用電路,展示了如何使用LM74502H與背對背連接的N溝道MOSFET實現反向極性保護。
  • 還展示了如何使用LM74502H作為高側開關驅動器,實現快速開關和過壓保護功能。

布局指南

  • 建議將GATE和SRC引腳與MOSFET的柵極和源極引腳緊密連接。
  • 使用厚銅跡線以減少源極和漏極的電阻損耗。
  • 電荷泵電容應遠離MOSFET放置,以降低熱效應對電容值的影響。

文檔支持

  • 提供了數據手冊、應用指南和相關應用筆記的支持鏈接。
  • 用戶可以訂閱文檔更新通知,以獲取最新產品信息。

通過以上總結,用戶可以全面了解LM74502H的主要特性、應用、功能描述、設備功能模式、典型應用電路、布局指南以及文檔支持。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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