去年底納微半導體發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源,其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計,實現了>97.5%的超高效率,完美適配AI和超大規模數據中心。如今,又推出12kW AI數據中心服務器電源。在2025慕尼黑上海電子展上,納微半導體與兆易創新聯合展示了最新AI服務器電源解決方案。
基于GD32G5系列高性能MCU的納微12kW和8.5kW AI服務器電源解決方案中,GD32G5系列MCU具備豐富多樣的數字模擬接口資源以及強化的安全性能,在功率控制方面展現了顯著的優勢。
以上兩種先進技術平臺均采用納微半導體的大功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs產品,第三代半導體混合設計的獨特系統架構幫助分別實現超97.5%和98%的峰值效率,輕松超越最新發布的80 PLUS?紅寶石“Ruby”電源認證標準。兩個方案都是針對AI和超大規模數據中心設計,輸出電壓為50V,符合開放計算項目(OCP)和開放機架v3(ORv3)規范。
圖源:電子發燒友網拍攝
圖源:電子發燒友網拍攝
據介紹,納微8.5kW AI數據中心服務器電源,其三相交錯PFC和LLC拓撲結構中采用了高功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs,以確保實現最高效率和最佳性能,同時將無源器件的數量降至最低。
與競爭對手使用的兩相拓撲相比,該電源所采用的三相拓撲結構,能為PFC和LLC帶來行業內最低的紋波電流和EMI。此外,與最接近的競品相比,該電源的氮化鎵和碳化硅器件數量要少25%,進而降低了整體成本。該電源的輸入電壓范圍為180至264 Vac,待機輸出電壓為12V,工作溫度范圍為-5°C至45°C,在8.5kW時的保持時間為10ms,通過擴展器可達到20ms。
該電源的三相LLC拓撲結構由高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片驅動,該芯片專為要求嚴苛的高功率應用(如AI數據中心和工業市場)而設計打造。GaNSafe作為納微的第四代氮化鎵產品集成了控制、驅動、傳感和關鍵保護功能,具備前所未有的可靠性和魯棒性。
當前,全球多達95%的數據中心都無法滿足NVIDIA最新Blackwell GPU服務器的電源需求,這凸顯了生態系統中的準備不足。Blackwell B200單顆芯片的功率高達1000W,一顆Grace CPU和兩顆Blackwell GPU組成的超級芯片GB200功率達2700W。Blackwell B300是英偉達第二款Blackwell芯片,功率為1400瓦。納微12kW和8.5kW AI服務器電源解決方案提供高峰值功率、高負載工作的強勁動力。
據介紹,在一個配備72個Blackwell GPU的服務器中,整體功耗可高達120千瓦?。將來還可能達到200多千瓦。因此未來服務器機柜設計時或考慮將電源部分獨立成柜。
納微半導體擁有從晶圓設計到生產協同合作再到測試驗證,以及產品級測試等多重能力,能夠充分挖掘氮化鎵材料的性能,有效把控氮化鎵產品的品質。這也使得納微的氮化鎵集成化方案性能突出,形成了堅實的技術和產品護城河。據了解,納微半導體氮化鎵產品目前采用6英寸晶圓,今年底有望切換至8英寸晶圓。
-
電源
+關注
關注
185文章
18283瀏覽量
255067 -
氮化鎵
+關注
關注
61文章
1764瀏覽量
117500 -
納微半導體
+關注
關注
7文章
148瀏覽量
20422 -
AI服務器
+關注
關注
2文章
130瀏覽量
5141
發布評論請先 登錄
德州儀器與英偉達合作開發用于數據中心服務器800V高壓直流(HVDC)配電系統的電源管理和傳感技術
浪潮信息升級數據中心服務器故障智能診斷AIOps技術
納微半導體發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源
如何選擇數據中心服務
英偉達提供數據中心一站式服務
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發布,輕松滿足AI數據中心增長的功率需求

評論