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LP2998-Q1 用于汽車應(yīng)用的 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-04-27 09:40 ? 次閱讀

LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接,帶 VDDQ分鐘 的 1.35 V。該器件包含一個高速運算放大器,可提供出色的響應(yīng) 負(fù)載瞬變。輸出級可防止擊穿,同時提供 1.5 A 連續(xù)電流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的應(yīng)用中高達(dá) 3 A 的瞬態(tài)峰值。LP2998 系列 還集成了 VSENSE 引腳,以提供出色的負(fù)載調(diào)節(jié)和 V裁判輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。

LP2998 的另一個功能是低電平有效關(guān)斷 (SD) 引腳,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。當(dāng) SD 被拉低時,VTToutput 將三態(tài) 提供高阻抗輸出,但是,V裁判將保持活動狀態(tài)。一 在此模式下,可以通過較低的靜態(tài)電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。
*附件:lp2998-q1.pdf

特性

  • AEC-Q100 測試指南,結(jié)果如下(SO PowerPAD-8):
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H1C
    • 結(jié)溫范圍 –40°C 至 125°C
  • 1.35 V 最小 VDDQ
  • 拉電流和吸收電流
  • 低輸出電壓偏移
  • 無需外部電阻器
  • 線性拓?fù)?/li>
  • 掛起到 RAM (STR) 功能
  • 外部元件數(shù)量少
  • 熱關(guān)斷

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 概述

LP2998-Q1 是一款線性穩(wěn)壓器,專為滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計,用于 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存的終止。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線終止,并具有低輸出電壓偏移、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高電源抑制比等特點。

2. 主要特點

  • ?AEC-Q100 認(rèn)證?:適用于汽車應(yīng)用
  • ?DDR 終止?:支持 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存
  • ?低 V_DDQ?:最小值為 1.35V
  • ?高速運算放大器?:提供優(yōu)秀的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
  • ?輸出階段?:可防止穿透,同時提供 1.5A 連續(xù)電流和高達(dá) 3A 的瞬態(tài)峰值電流
  • ?V_SENSE 引腳?:提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)
  • ?V_REF 輸出?:作為芯片組和 DIMMs 的參考電壓
  • ?低外部組件計數(shù)?:無需外部電阻
  • ?熱關(guān)斷保護?:防止過熱損壞
  • ?掛起至 RAM (STR) 功能?:通過 SD 引腳實現(xiàn)低功耗模式

3. 應(yīng)用場景

  • ?汽車信息娛樂系統(tǒng)?
  • ?工業(yè)/醫(yī)療設(shè)備?
  • ?FPGA 供電?

4. 引腳配置與功能

LP2998-Q1 采用 SO PowerPAD-8 封裝,主要引腳包括:

  • ?GND?:接地
  • ?SD?:關(guān)斷引腳,低電平有效
  • ?V_SENSE?:反饋引腳,用于調(diào)節(jié) V_TT
  • ?V_REF?:緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
  • ?AVIN?:模擬輸入引腳
  • ?PVIN?:電源輸入引腳,專用于輸出級
  • ?VTT?:輸出電壓,用于連接終止電阻
  • ?EP?:外露焊盤,熱連接,接地

5. 功能描述

  • ?線性穩(wěn)壓器?:輸出 V_TT 能夠精確調(diào)節(jié)至 V_DDQ/2,同時支持源電流和灌電流。
  • ?高速運算放大器?:提供快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
  • ?分離電源軌?:模擬電路和功率輸出級采用不同的電源軌,降低內(nèi)部功耗。
  • ?STR 功能?:SD 引腳拉低時,V_TT 輸出三態(tài),但 V_REF 保持激活。

6. 電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:AVIN 為 2.2V 至 5.5V,PVIN 為 0V 至 AVIN
  • ?輸出電壓?:V_TT 根據(jù) V_DDQ 調(diào)節(jié),例如 V_DDQ = 2.5V 時,V_TT = 1.25V
  • ?負(fù)載調(diào)節(jié)?:通過 V_SENSE 引腳實現(xiàn)遠(yuǎn)程負(fù)載調(diào)節(jié)
  • ?靜態(tài)電流?:典型值為 500μA
  • ?熱關(guān)斷溫度?:約 165°C

7. 典型應(yīng)用電路

數(shù)據(jù)手冊中提供了多個典型應(yīng)用電路,包括 DDR-III、DDR-II、SSTL-2 和 HSTL 應(yīng)用,以及如何通過反饋電阻進行電平移位。

8. 布局與熱設(shè)計指南

  • ?輸入電容?:應(yīng)靠近 PVIN 引腳放置,推薦值為 50μF 電解電容或 10μF 陶瓷電容。
  • ?V_SENSE 引腳?:應(yīng)連接到 V_TT 終止總線的中心位置,以提供最佳的負(fù)載調(diào)節(jié)。
  • ?熱設(shè)計?:通過多層板設(shè)計、過孔和銅皮來優(yōu)化熱性能。

9. 封裝與訂購信息

LP2998-Q1 提供 SO PowerPAD-8 封裝選項,具有 RoHS 環(huán)保認(rèn)證。數(shù)據(jù)手冊中提供了詳細(xì)的封裝尺寸、引腳分配和訂購信息。

10. 注意事項

  • 在使用期間,應(yīng)遵守數(shù)據(jù)手冊中提供的絕對最大額定值和推薦操作條件。
  • 注意靜電放電保護,避免損壞器件。
  • 數(shù)據(jù)手冊中的信息僅供參考,實際設(shè)計時應(yīng)進行充分的驗證和測試。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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