概述
HMC424ACHIPS芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC)，以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。

HMC424A芯片在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)具有出色的衰減精度（±0.2 dB + 3%的衰減狀態(tài)）和高輸入線性度，典型插入損耗≤4.2 dB。衰減器位值為0.5 (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，總衰減為31.5 dB，典型步長(zhǎng)誤差為±0.5 dB。

該器件允許用戶通過(guò)在0 V至VEE之間切換的六個(gè)并行控制輸入對(duì)衰減狀態(tài)進(jìn)行編程設(shè)定。

HMC424A芯片采用?3 V至?5 V單個(gè)負(fù)電源供電，需要外部驅(qū)動(dòng)器以便連接CMOS/晶體管對(duì)晶體管邏輯(TTL)接口。

HMC424A芯片采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的9焊盤裸片封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC424ACHIPS 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位數(shù)字衰減器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
• 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 測(cè)試設(shè)備和傳感器
• 中頻(IF)和RF設(shè)計(jì)
• 軍事與太空

特性

• 衰減范圍：0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
  • 步長(zhǎng)誤差：±0.5 dB（典型值）
• 低插入損耗：2.8 dB（典型值，4.0 GHz）
• VEE = ?5 V 時(shí)具有高線性度
  • 輸入 P0.1dB：25 dBm（典型值）
  • 輸入 IP3：45 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理：25 dBm（最大值）
• 低相對(duì)相位：30° (6.0 GHz)
• 單電源運(yùn)行：?3 V 至 ?5 V
• 裸片尺寸：1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用信息

安裝與鍵合技術(shù)

HMC424ACHIPS芯片背部經(jīng)過(guò)金屬化處理，必須使用金錫（AuSn）共晶焊盤直接連接到接地層，或通過(guò)電氣導(dǎo)電環(huán)氧樹脂連接。

芯片厚度為0.102毫米（4密耳）。建議在0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底上制作50Ω微帶傳輸線，用于將射頻信號(hào)引入和引出HMC424ACHIPS芯片（見圖24）。

使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底時(shí)，需將HMC424ACHIPS芯片抬高0.150毫米（6密耳），使HMC424ACHIPS芯片的共面表面與襯底表面齊平?？赏ㄟ^(guò)將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）來(lái)實(shí)現(xiàn)，然后將鉬片連接到接地層（見圖25）。

微帶襯底應(yīng)盡可能靠近HMC424ACHIPS芯片放置，以縮短鍵合長(zhǎng)度。芯片與襯底的典型間距為0.076毫米（3密耳）。

建議使用3密耳×5密耳的射頻鍵合絲。建議使用直徑為1密耳的直流鍵合絲。所有鍵合絲應(yīng)盡可能短。

裝配圖

HMC424ACHIPS芯片的裝配圖如圖26所示。