概述
HMC8073 是一款 6 位數字步進衰減器 (DSA)，工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz，衰減范圍為 31.5 dB，步進為 0.5 dB。

HMC8073 通過硅工藝實現，具有很短的建立時間、低功耗以及高靜電放電 (ESD) 抗擾性。該器件具有安全狀態轉換功能，從而能夠在不發生過沖的情況下發生衰減狀態變化，該器件還進行了優化，可以在工作頻率和溫度范圍內實現出色的步進精度以及高功率和高線性度。射頻 (RF) 輸入和輸出可在內部與 50 Ω 相匹配，不需要任何外部匹配組件。該設計是雙向的，RF 輸入和輸出可互換。

利用 HMC8073 的外部地址功能，用戶可以通過單條總線控制多達八個 DSA。該 DSA 具有一個片內穩壓器，該穩壓器支持 3.3 V 到 5.0 V 的寬電源工作范圍，而不會在電氣特性方面產生性能變化。HMC8073 包含一個互補金屬氧化物半導體 (CMOS) - 和晶體管晶體管邏輯 (TTL) - 兼容接口，該接口支持對衰減器進行串行（3 線）控制。

HMC8073 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。
數據表：*附件：HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅數字步進衰減器技術手冊.pdf

應用

• 蜂窩基礎設施
• 微波無線電
• 甚小孔徑終端
• 測試量設備和傳感器

特性

• 衰減范圍：0.5 dB LSB，步進為 31.5 dB
• 低插入損耗
  • 1.0 GHz 時為 1.1 dB
  • 2.0 GHz 時為 1.5 dB
• 極高的衰減精度
• 低于 ±0.25 dB（以及 3% 的衰減狀態）
• 低相移誤差：1.0 GHz 時相移為 4°
• 雙向使用：30 dBm 高功率處理能力
• 在 RFIN/RFOUT 引腳上提供內部直流隔斷器
• 高線性度
  • P1dB：31 dBm（典型值）
  • 輸入 IP3：52 dBm（典型值）
  • 安全狀態轉換
• TTL/CMOS 串行接口
  • 在單條數據總線上連接多達 8 個器件
• 單電源供電：3.3 V 到 5.0 V
• ESD 靈敏度額定值：1C 級（1 kV 人體模型）
• 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝：9 mm^2^

框圖

電氣規格

時序圖

引腳配置描述

接口示意圖

應用信息

評估印刷電路板（PCB）

圖25展示了帶有元件布局的EV1HMC8073LP3D。EV1HMC8073LP3D是一款四層印刷電路板，頂層和底層銅層為0.7密耳，各銅層之間由電介質材料隔開。頂層電介質材料為10密耳的Rogers 4350，中間層電介質材料為FR - 4，用于提供機械強度并使電路板總厚度約為62密耳，這樣可在板邊連接SMA連接器。
所有射頻和直流走線都布置在頂層銅層。射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，線寬為18密耳，間距為13密耳，電介質厚度為10密耳，特性阻抗為50Ω。頂層和底層接地層為射頻傳輸線提供穩固的接地。為實現最佳電氣和熱性能，應圍繞傳輸線及器件外露焊盤布置盡可能多的過孔。圖25所示的評估板布局和原理圖可作為改善熱效率的參考。
EV1HMC8073LP3D通過直流測試點TP3接地。直流電源必須連接到EV1HMC8073LP3D的直流測試點TP1。去耦電容布置在電源走線旁，以濾除高頻噪聲。
射頻輸入和輸出端口（RFIN和RFOUT）分別通過50Ω傳輸線連接到SMA連接器J1和J2。所有數字控制引腳通過數字信號線連接到2×6引腳接頭J5。一條直通校準傳輸線可用于估算評估環境條件下印刷電路板的損耗。