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PTH12050Y 6A、12V 輸入非隔離式 DDR/QDR 內存總線終端模塊數據手冊

科技綠洲 ? 2025-04-23 11:12 ? 次閱讀
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PTHxx050Y 是德州儀器 (TI) 的一系列即用型開關穩壓器模塊,專為 DDR 和 QDR 存儲器應用中的總線端接而設計。這些模塊由 3.3V、5V 或 12V 輸入供電,可產生 VTT輸出,將拉出或吸收高達 6 A 的電流(8 A 瞬態),以準確跟蹤其 V裁判輸入。VTT是所需的總線端接電源電壓,V裁判是存儲器和芯片組總線接收器比較器的參考電壓。V裁判通常設置為 V 的一半DDQ電源電壓。
*附件:pth12050y.pdf

PTHxx050Y 系列均采用有源開關同步整流器輸出,以提供最先進的降壓開關轉換。這些產品尺寸小(0.87 英寸 × 0.5 英寸),是需要空間、性能和高效率以及即用型模塊便利性的理想選擇。

作功能包括開/關禁止和輸出過流保護(僅限源模式)。開/關抑制功能允許 VTT在待機作模式下關閉總線以節省電量。

封裝選項包括通孔和表面貼裝配置。

特性

  • VTT總線終端輸出 (輸出跟蹤系統 v 裁判 )
  • 6 A 輸出電流(峰值 8 A)
  • 3.3V、5V 或 12V 輸入電壓
  • 兼容 DDR 和 QDR
  • 開/關抑制 (for VTT待機)
  • 欠壓鎖定
  • 工作溫度:–40 至 +85°C
  • 效率高達 88 %
  • 輸出過流保護(非閉鎖、自動復位)
  • 50 W/in3 功率密度
  • 安全機構認證:UL/cUL60950、EN60950、VDE
  • 兼容負載點聯盟 (POLA)?

參數
image.png

一、產品概述

PTH12050Y是一款由德州儀器Texas Instruments)生產的非隔離DDR/QDR內存總線終止模塊。該模塊專為DDR和QDR內存應用設計,提供高達6A(峰值8A)的輸出電流,以準確跟蹤V_REF輸入,并生成所需的V_TT輸出。

二、關鍵特性

1. 高性能與靈活性

  • ?輸出電流?:連續6A,峰值8A
  • ?輸入電壓?:支持3.3V、5V或12V
  • ?輸出電壓?:V_TT,跟蹤V_REF輸入
  • ?效率?:高達88%

2. 豐富的保護功能

  • ?過流保護?:非鎖存式自動復位
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?
  • ?開/關抑制?:用于V_TT待機模式

3. 小巧的尺寸與高功率密度

  • ?尺寸?:0.87in x 0.5in(22.1mm x 12.57mm)
  • ?功率密度?:50W/in3

4. 安全性與兼容性

  • ?安全認證?:UL/cUL60950, EN60950, VDE
  • ?兼容性?:POLA?(Point-of-Load Alliance)兼容

三、應用領域

  • DDR和QDR內存應用
  • 需要高效、可靠內存總線終止的復雜數字系統

四、電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:10.8V至13.2V(對于12V輸入型號)
  • ?V_REF跟蹤范圍?:0.55V至1.8V
  • ?V_TT與V_REF跟蹤容差?:±10mV
  • ?輸出電壓紋波?:20MHz帶寬下,20mV PP
  • ?過流閾值?:12A
  • ?瞬態響應恢復時間?:80μs
  • ?開關頻率?:200kHz至300kHz

五、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:提供通孔和表面貼裝兩種封裝選項
  • ?尺寸?:具體尺寸信息需參考封裝圖紙

六、應用信息

1. 電容推薦

  • ?輸入電容?:對于12V輸入,推薦使用560μF的電解電容和≥10μF的陶瓷電容組合。
  • ?輸出電容?:推薦使用940μF的電解電容以滿足瞬態響應要求,可額外添加10μF至22μF的陶瓷電容以改善紋波和瞬態響應。

2. 布局與散熱

  • 電容應盡可能靠近模塊引腳放置,以減少噪聲和損耗。
  • 在高功率應用中,注意模塊的散熱設計,確保工作在溫度額定范圍內。

七、典型應用電路

文檔提供了DDR應用的典型電路圖,展示了如何連接PTH12050Y模塊以及相關的電容和電阻,以實現穩定的內存總線終止。

八、封裝選項與訂購信息

文檔最后提供了封裝選項和訂購信息的附錄,包括不同封裝類型和RoHS狀態的詳細信息。用戶可以根據實際需求選擇合適的封裝類型和數量。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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