概述

ADAR1000 是一款適用于相控陣的 4 通道 X 和 Ku 頻段波束形成內核芯片。此器件在接收和發射模式之間以半雙工狀態工作。在接收模式下，輸入信號通過四個接收通道后在公共 RF_IO 引腳上組合在一起。在發射模式下，RF_IO 輸入信號拆分后通過四個發射通道。在這兩種模式下，ADAR1000 在射頻 (RF) 路徑中都提供 ≥31 dB 的增益調整范圍和完整 360° 相位調整范圍，分辨率優于 6 位（分別低于 ≤0.5 dB 和 2.8°）。

所有片內寄存器均通過簡單的 4 線串行端口接口 (SPI) 進行控制。另外，SPI 可通過兩個地址引腳最多控制同一串行線上的四個器件。除此之外，專用的發射和接收引腳可使同一陣列中的所有內核芯片實現同步，并通過單個引腳控制發射和接收模式之間的快速切換。

ADAR1000 采用緊湊式 88 端子 7 mm × 7 mm LGA 封裝，工作溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C。
數據表：*附件：ADAR1000 4通道X頻段和Ku頻段波束形成器技術手冊.pdf

應用

• 相控陣雷達
• 衛星通信系統

特性

• 頻率范圍 8 GHz 至 16 GHz
• 半雙工，適用于發射和接收模式
• 單一引腳發射和接收控制
• 360° 相位調整范圍
• 2.8° 相位分辨率
• ≥31 dB 增益調整范圍
• ≤0.5 dB 增益分辨率
• 適用于外部發射和接收模塊的偏置和控制
• 用于存儲 121 個預存儲波束位置的存儲器
• 四個 ?20 dBm 至 +10 dBm 功率檢測器
• 集成式溫度傳感器
• 適用于功率檢測器和溫度傳感器的集成式 8 位 ADC
• 可編程偏置模式
• 4 線 SPI 接口

框圖

引腳配置和功能描述

典型性能特性

AVDD1 = -5伏，AVDD3 = +3.3伏，環境溫度TA = 25°C，標準偏置設置。報告的增益、三階交調截點（IP3）、1分貝壓縮點功率（P1dB）和噪聲系數（NF）均為單通道測量值。對于未測量的通道，偏置設置用于增益、IP3和P1dB測量；測量NF時，其他三個通道處于禁用狀態，除非另有說明。