概述
HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器，采用“無(wú)鉛”SMT封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件，均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。 低頻正交混合器件用于產(chǎn)生1,000 MHz LSB IF輸出。 該產(chǎn)品為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。 HMC1063LP3E無(wú)需線(xiàn)焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1063 GaAs MMIC I Q混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電
• 軍用雷達(dá)、EW和ELINT
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

特性

• 低LO功率： 10 dBm
• 寬IF帶寬： DC - 3 GHz
• 鏡像抑制： 21 dBc
• LO/RF隔離： 40 dB
• 高輸入IP3： 17 dBm
• 16引腳3x3 mm SMT封裝： 9 mm2

框圖

引腳描述

電氣規(guī)格

評(píng)估PCB