TPS51113 和 TPS51163 是成本優(yōu)化、功能豐富的單通道同步降壓控制器,采用 4.5V 至 13.2V 單電源供電,可轉(zhuǎn)換低至 1.5V 的輸入電壓。
該控制器以固定的 300kHz (TPS51113) 和 600kHz (TPS51163) 開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)電壓模式控制。過(guò)流 (OC) 保護(hù)采用低側(cè) R DS(開(kāi)) 電流感應(yīng),并具有用戶可編程閾值。OC 閾值由從 LDRV_OC 引腳到 GND 的電阻器設(shè)置。在啟動(dòng)序列的校準(zhǔn)階段,當(dāng)過(guò)流編程電路向 LDRV_OC 引腳施加 10 μA 的電流時(shí),將讀取電阻值。
*附件:SINGLE SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER 數(shù)據(jù)表.pdf
TPS51113/TPS51163 還支持輸出預(yù)偏置啟動(dòng)。
具有低死區(qū)時(shí)間的強(qiáng)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用更大的 MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的效率。自適應(yīng)抗交叉?zhèn)鲗?dǎo)方案用于防止功率 FET 之間的擊穿。
特性
- 靈活的電源軌:5 V 至 12 V
- 參考:800 mV ± 0.8%
- 電壓模式控制
- 支持預(yù)偏置啟動(dòng)
- 具有低側(cè) R 的可編程過(guò)流保護(hù)
DS(開(kāi))電流感應(yīng) - 固定 300kHz (TPS51113) 和 600kHz (TPS51163) 開(kāi)關(guān)頻率
- UV/OV 保護(hù)和電源良好指示器
- 內(nèi)部軟啟動(dòng)
- 由 VDD 供電的集成大電流驅(qū)動(dòng)器
- 10 引腳 3 × 3 SON 封裝
- 應(yīng)用
- 服務(wù)器和臺(tái)式計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)電源(MCH、IOCH、PCI、端接)
- 分布式電源
- 通用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
參數(shù)
方框圖
一、產(chǎn)品概述
- ?產(chǎn)品名稱?:TPS51113/TPS51163
- ?類型?:?jiǎn)瓮ǖ劳浇祲嚎刂破?/li>
- ?特點(diǎn)?:成本優(yōu)化,功能豐富,支持高電流柵極驅(qū)動(dòng),適用于5V至12V的靈活電源軌
二、主要特性
- ?電壓模式控制?
- ?支持預(yù)偏置啟動(dòng)?
- ?可編程過(guò)流保護(hù)?
- ?欠壓/過(guò)壓保護(hù)?
- ?電源良好指示器?
- ?內(nèi)部軟啟動(dòng)?
- ?集成高電流驅(qū)動(dòng)器?
- ?固定開(kāi)關(guān)頻率?(TPS51113為300kHz,TPS51163為600kHz)
三、封裝選項(xiàng)
- ?10引腳3x3 SON包裝?
四、電氣特性
- ?工作電壓范圍?:VDD為4.5V至13.2V
- ?參考電壓?:800mV ±0.8%
- ?軟啟動(dòng)時(shí)間?:2.0ms至5.0ms
- ?最大占空比?:TPS51113為72%,TPS51163為69%
- ?過(guò)流保護(hù)閾值?:可編程,通過(guò)外部電阻設(shè)置
- ?電源良好閾值?:上下閾值可編程
五、引腳功能
- ?BOOT?:高側(cè)N-MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓
- ?COMP_EN?:誤差放大器輸出及關(guān)斷引腳
- ?FB?:誤差放大器反相輸入
- ?GND?:公共地
- ?HDRV?:高側(cè)N-MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出
- ?LDRV_OC?:低側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出及過(guò)流設(shè)置
- ?PGOOD?:電源良好輸出
- ?SW?:自適應(yīng)反交叉?zhèn)鲗?dǎo)電路的感測(cè)線
- ?VDD?:控制器電源輸入
- ?VOS?:設(shè)置欠壓和過(guò)壓保護(hù)的輸入
六、典型應(yīng)用
- ?服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)電源?
- ?分布式電源供應(yīng)?
- ?通用DC-DC轉(zhuǎn)換器?
七、保護(hù)功能
- ?過(guò)流保護(hù)?:通過(guò)比較低側(cè)FET的電壓降與用戶可編程閾值實(shí)現(xiàn)
- ?欠壓/過(guò)壓保護(hù)?:通過(guò)VOS引腳設(shè)置,欠壓保護(hù)在VOS電壓低于600mV時(shí)觸發(fā),過(guò)壓保護(hù)在VOS電壓高于1V時(shí)觸發(fā)
八、設(shè)計(jì)指南
- ?電感選擇?:根據(jù)所需電流紋波和開(kāi)關(guān)頻率選擇合適的電感值
- ?輸出電容選擇?:根據(jù)輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求選擇合適的電容值和ESR
- ?MOSFET選擇?:選擇滿足電壓和電流額定要求且功率損耗低的MOSFET
九、布局建議
- ?信號(hào)地與功率地分離?:使用單獨(dú)的銅平面以減少噪聲干擾
- ?旁路電容布局?:在VDD和GND引腳附近放置至少0.1μF的陶瓷電容
- ?驅(qū)動(dòng)路徑最小化?:高側(cè)和低側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)路徑應(yīng)盡可能短
-
可編程
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單電源
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輸入電壓
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開(kāi)關(guān)頻率
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同步降壓控制器
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TPS51113,TPS51163,pdf(SINGLE S
LT3743演示電路-采用三態(tài)控制(12V至4.5V LED@20A)的大電流同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器

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汽車(chē)類 4.5V 至 60V 寬輸入同步 PWM 降壓控制器TPS40170-Q1數(shù)據(jù)表

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