TPS51113 和 TPS51163 是成本優(yōu)化、功能豐富的單通道同步降壓控制器，采用 4.5V 至 13.2V 單電源供電，可轉(zhuǎn)換低至 1.5V 的輸入電壓。

該控制器以固定的 300kHz （TPS51113） 和 600kHz （TPS51163） 開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)電壓模式控制。過(guò)流 （OC） 保護(hù)采用低側(cè) R DS（開(kāi)） 電流感應(yīng)，并具有用戶可編程閾值。OC 閾值由從 LDRV_OC 引腳到 GND 的電阻器設(shè)置。在啟動(dòng)序列的校準(zhǔn)階段，當(dāng)過(guò)流編程電路向 LDRV_OC 引腳施加 10 μA 的電流時(shí)，將讀取電阻值。
*附件：SINGLE SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER 數(shù)據(jù)表.pdf

TPS51113/TPS51163 還支持輸出預(yù)偏置啟動(dòng)。

具有低死區(qū)時(shí)間的強(qiáng)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用更大的 MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的效率。自適應(yīng)抗交叉?zhèn)鲗?dǎo)方案用于防止功率 FET 之間的擊穿。

特性

• 靈活的電源軌：5 V 至 12 V
• 參考：800 mV ± 0.8%
• 電壓模式控制
• 支持預(yù)偏置啟動(dòng)
• 具有低側(cè) R 的可編程過(guò)流保護(hù) DS（開(kāi)） 電流感應(yīng)
• 固定 300kHz （TPS51113） 和 600kHz （TPS51163） 開(kāi)關(guān)頻率
• UV/OV 保護(hù)和電源良好指示器
• 內(nèi)部軟啟動(dòng)
• 由 VDD 供電的集成大電流驅(qū)動(dòng)器
• 10 引腳 3 × 3 SON 封裝
• 應(yīng)用
  • 服務(wù)器和臺(tái)式計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)電源（MCH、IOCH、PCI、端接）
  • 分布式電源
  • 通用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS51113/TPS51163
• ?類型?：?jiǎn)瓮ǖ劳浇祲嚎刂破?/li>
• ?特點(diǎn)?：成本優(yōu)化，功能豐富，支持高電流柵極驅(qū)動(dòng)，適用于5V至12V的靈活電源軌

二、主要特性

• ?電壓模式控制?
• ?支持預(yù)偏置啟動(dòng)?
• ?可編程過(guò)流保護(hù)?
• ?欠壓/過(guò)壓保護(hù)?
• ?電源良好指示器?
• ?內(nèi)部軟啟動(dòng)?
• ?集成高電流驅(qū)動(dòng)器?
• ?固定開(kāi)關(guān)頻率?（TPS51113為300kHz，TPS51163為600kHz）

三、封裝選項(xiàng)

• ?10引腳3x3 SON包裝?

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為4.5V至13.2V
• ?參考電壓?：800mV ±0.8%
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：2.0ms至5.0ms
• ?最大占空比?：TPS51113為72%，TPS51163為69%
• ?過(guò)流保護(hù)閾值?：可編程，通過(guò)外部電阻設(shè)置
• ?電源良好閾值?：上下閾值可編程

五、引腳功能

• ?BOOT?：高側(cè)N-MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• ?COMP_EN?：誤差放大器輸出及關(guān)斷引腳
• ?FB?：誤差放大器反相輸入
• ?GND?：公共地
• ?HDRV?：高側(cè)N-MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出
• ?LDRV_OC?：低側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出及過(guò)流設(shè)置
• ?PGOOD?：電源良好輸出
• ?SW?：自適應(yīng)反交叉?zhèn)鲗?dǎo)電路的感測(cè)線
• ?VDD?：控制器電源輸入
• ?VOS?：設(shè)置欠壓和過(guò)壓保護(hù)的輸入

六、典型應(yīng)用

• ?服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)電源?
• ?分布式電源供應(yīng)?
• ?通用DC-DC轉(zhuǎn)換器?

七、保護(hù)功能

• ?過(guò)流保護(hù)?：通過(guò)比較低側(cè)FET的電壓降與用戶可編程閾值實(shí)現(xiàn)
• ?欠壓/過(guò)壓保護(hù)?：通過(guò)VOS引腳設(shè)置，欠壓保護(hù)在VOS電壓低于600mV時(shí)觸發(fā)，過(guò)壓保護(hù)在VOS電壓高于1V時(shí)觸發(fā)

八、設(shè)計(jì)指南

• ?電感選擇?：根據(jù)所需電流紋波和開(kāi)關(guān)頻率選擇合適的電感值
• ?輸出電容選擇?：根據(jù)輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求選擇合適的電容值和ESR
• ?MOSFET選擇?：選擇滿足電壓和電流額定要求且功率損耗低的MOSFET

九、布局建議

• ?信號(hào)地與功率地分離?：使用單獨(dú)的銅平面以減少噪聲干擾
• ?旁路電容布局?：在VDD和GND引腳附近放置至少0.1μF的陶瓷電容
• ?驅(qū)動(dòng)路徑最小化?：高側(cè)和低側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)路徑應(yīng)盡可能短