概述
HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝，可用作3 GHz至10 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。HMC787A通過優化的巴倫結構提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)隔離性能，采用17 dBm的LO驅動電平工作。陶瓷LCC封裝無需線焊，與高容量表貼制造技術兼容。
數據表：*附件：HMC787A GaAs MMIC基波混頻器技術手冊.pdf

HMC787AG是一款通用型雙平衡混頻器，可用作3 GHz至10 GHz頻率范圍的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。

HMC787AG通過優化的巴倫結構提供高本振(LO)至RF及LO至中頻(IF)隔離性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驅動電平工作。

特性
HMC787ALC3B

• 轉換損耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• 本振(LO)至射頻(IF)隔離：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• RF至中頻(IF)隔離：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• 輸入三階交調截點(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• 輸入1 dB壓縮點(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• 輸出二階交調截點(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）

• 無源雙平衡拓撲結構

• 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz

• 12引腳、陶瓷、無鉛芯片載體(LCC)封裝

HMC787AG（芯片）
下變頻器* 變頻損耗

• 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
• 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• LO至IF隔離
  • 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• RF至IF隔離
  • 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 輸入IP3
  • 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 輸入P1dB
  • 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz
• 6焊盤、裸片[芯片]

框圖

應用

• 微波無線電
• 工業、科研和醫療(ISM)頻段和超寬頻段(UWB)無線電
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

引腳配置描述

接口示意圖

典型應用電路

圖49展示了HMC787A的典型應用電路。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內部已實現交流耦合。如果不需要直流中頻（IF）工作，建議在IF端口使用一個交流耦合電容。如果需要直流IF工作，請勿超過“絕對最大額定值”部分中規定的IF源電流和灌電流數值。

應用中使用的電路板必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω的阻抗，封裝接地引腳和外露焊盤必須直接連接到接地層，類似于圖50中所示。使用足夠數量的過孔連接頂層和底層接地層。圖50中所示的評估電路板可應要求從亞德諾半導體公司（Analog Devices, Inc.）獲取。