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TPS51285B 具有超低靜態(tài)電流的 5V 至 24V 雙通道同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-03-26 11:20 ? 次閱讀
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TPS51285A 和 TPS51285B 是具有 5 V 和 3.3 V LDO 的高性價比雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。該器件通過使用自動跳過和 ULQ? 模式實現(xiàn)了低功耗,這有利于在系統(tǒng)待機模式下延長電池壽命。提供 256kHz VCLK 輸出以驅(qū)動外部電荷泵,在主轉(zhuǎn)換器中以最小的功耗為負載開關(guān)產(chǎn)生柵極驅(qū)動電壓。該器件采用自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP? 模式控制,無需外部補償網(wǎng)絡(luò)即可實現(xiàn)快速負載瞬態(tài)響應(yīng)。TPS51285A/B 可在 5V 至 24V 的電源輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持 5 V 和 3.3 V 的輸出電壓。TPS51285A 和 TPS51285B 采用 20 引腳 3 x 3 (mm) QFN 封裝,額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
*附件:tps51285b 具有 5V 3.3V 數(shù)據(jù)表的超低靜態(tài) (ULQ) 雙通道同步降壓控制器.pdf

特性

  • 輸入電壓范圍:5 V 至 24 V
  • 輸出電壓:5 V 和 3.3 V
    (可調(diào)范圍 ±10%)
  • 內(nèi)置 100mA、5V 和 3.3V
    LDO
  • 用于電荷泵的時鐘輸出
  • ±1% 基準準確度
  • 具有 400 kHz (CH1) 和
    475 kHz (CH2) 頻率的自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP 模式控制
    架構(gòu)
  • 自動跳過和 ULQ 模式,可在系統(tǒng)待機模式下延長
    電池壽命
  • 內(nèi)部 0.8ms 電壓伺服軟啟動
  • 低側(cè) R DS(開) 電流感應(yīng)方案
  • 內(nèi)置 Output Discharge 功能
  • 為切換器提供單獨的 Enable Input
  • 專用 OC 設(shè)置端子
  • 電源良好指示燈
  • OVP、UVP 和 OCP 保護
  • 非鎖存 UVLO 和 OTP 保護
  • 20 引腳、3 mm × 3 mm、QFN (RUK)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:TPS51285B
  • ?類型?:超低靜態(tài)(ULQ)雙通道同步降壓控制器
  • ?輸出電壓?:5V和3.3V(可調(diào)范圍±10%)
  • ?應(yīng)用?:筆記本電腦、平板電腦等系統(tǒng)電源供應(yīng)

二、主要特性

  • ?輸入電壓范圍?:5V至24V
  • ?集成功能?:
    • 內(nèi)置100mA的5V和3.3V LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器
    • 400kHz(CH1)和475kHz(CH2)的開關(guān)頻率
    • 自適應(yīng)導(dǎo)通時間D-CAP?模式控制
    • 自動跳頻和ULQ模式,延長系統(tǒng)待機時間
    • 內(nèi)置輸出放電功能
    • 獨立的使能輸入
    • 專用過流設(shè)置端子
    • 電源良好指示
    • 過壓保護(OVP)、欠壓保護(UVP)和過流保護(OCP)

三、電氣特性

  • ?靜態(tài)電流?:極低,有助于延長移動設(shè)備電池壽命
  • ?內(nèi)部參考電壓?:±1%準確度
  • ?軟啟動時間?:內(nèi)部0.8ms電壓伺服軟啟動
  • ?輸出放電電阻?:CH1為35Ω,CH2為70Ω
  • ?過流保護?:周期性過流限制
  • ?熱關(guān)斷?:防止過熱損壞

四、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:20引腳3x3mm QFN(RUK)
  • ?熱阻?:θJA為46.2°C/W,θJCtop為53.6°C/W等

五、功能描述

  • ?PWM操作?:采用自適應(yīng)導(dǎo)通時間脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制
  • ?輕載條件?:自動降低開關(guān)頻率,提高效率
  • ?ULQ模式?:在輕載不連續(xù)導(dǎo)電模式下自動進入,降低靜態(tài)電流
  • ?D-CAP?模式?:無需外部補償電路,適合低外部元件配置
  • ?軟啟動和放電?:內(nèi)部軟啟動電路,平滑控制輸出電壓;使能引腳關(guān)閉時,通過內(nèi)部MOSFET放電輸出

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用圖?:提供帶電荷泵和不帶電荷泵的典型應(yīng)用電路圖
  • ?設(shè)計步驟?:包括確定規(guī)格、選擇電壓分壓電阻、電感、輸出電容、過流限制設(shè)置電阻等
  • ?布局考慮?:強調(diào)良好布局對穩(wěn)定電源供應(yīng)的重要性,提供布局指南

七、文檔支持

  • 提供詳細的數(shù)據(jù)表、應(yīng)用圖、參考設(shè)計和布局指南
  • 支持使用WEBENCH? Power Designer進行定制化設(shè)計

八、社區(qū)資源

  • 提供TI E2E在線社區(qū)鏈接,方便用戶獲取技術(shù)支持和社區(qū)資源

九、注意事項

  • ?靜電放電(ESD)警告?:處理集成電路時需采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施,避免ESD損壞
  • ?絕對最大額定值?:超出絕對最大額定值使用可能導(dǎo)致永久損壞
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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