概述
HMC554ACHIPS 是一款通用型雙平衡混頻器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵 (GaAs) 金屬半導體場效應晶體管 (MESFET) 工藝制成，不需要外部組件或匹配電路。HMC554ACHIPS 經優化的平衡/不平衡轉換器結構可提供高的本機振蕩器 (LO) 至 RF 隔離和 LO 至中頻 (IF) 隔離 (分別為 38 dB 和 52 dB)。
數據表：*附件：HMC554ACHIPS 10GHz至20GHz GaAs MMIC雙平衡混頻器技術手冊.pdf

特性

• 高達 8.5 dB（典型值）的轉換損耗
• LO 到 RF 隔離：38 dB（典型值）
• 高達 20 dBm（典型值）的輸入 IP3
• 符合 RoHS 標準的 7 焊盤裸片 CHIP

應用

• 微波和甚小孔徑終端 (VSAT) 射頻
• 測試設備
• 軍事電子戰 (EW)、電子對抗 (ECM) 以及指揮、控制、通信和情報 (C3I)

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息
圖84顯示了HMC554ACHIPS的典型應用電路。HMC554ACHIPS是一款無源器件，不需要任何外部元件。IF焊盤內部直流耦合，RF和LO焊盤內部交流耦合。當不需要直流中頻工作時，建議使用一個外部串聯電容，所選電容值可通過必要的中頻頻率范圍。需要中頻工作至直流時，請勿超過“絕對最大額定值”部分中規定的中頻源電流和吸電流。

將芯片以共晶方式或使用導電環氧樹脂直接連接到接地層。為了使RF進出芯片，建議在0.127 mm (0.005 ")厚的氧化鋁薄膜基板上放置50條2微帶傳輸線(見圖85)。如果使用0.254毫米(0.010英寸)厚的氧化鋁薄膜基板，將模具抬高0.150毫米(0.006英寸)，使模具表面與基板表面平齊。一種方法是將0.102毫米(0.004英寸)厚的芯片連接到0.150毫米(0.006英寸)厚的鉬散熱器(鉬片)，然后將鉬散熱器連接到接地層(見圖86)。將微帶基板盡可能靠近芯片放置，以最小化焊線長度。典型的芯片到基板的間距為0.076毫米(0.003英寸)。