在半導體制造以及眾多精密工業領域，晶圓作為核心基礎材料，其表面的清潔度和平整度對最終產品的性能與質量有著至關重要的影響。隨著技術的飛速發展，晶圓的集成度日益提高，制程節點不斷縮小，這也就對晶圓表面的清洗工藝提出了更為嚴苛的要求。其中，單片腐蝕清洗方法作為一種關鍵手段，能夠針對性地去除晶圓表面的雜質、缺陷以及殘留物，為后續的制造工序奠定堅實的基礎。深入探究這些單片腐蝕清洗方法，對于提升晶圓生產效率、保障產品質量具有不可忽視的重要意義。

單片腐蝕清洗方法主要包括以下幾種：

一、化學腐蝕清洗法

酸性溶液清洗

原理：利用酸與金屬氧化物、雜質等發生化學反應，生成可溶于水的鹽類或氣體，從而達到清洗的目的。例如，對于一些金屬表面的鐵銹（主要成分是氧化鐵），可以使用稀鹽酸進行清洗。其化學反應方程式為：Fe?O? + 6HCl = 2FeCl? + 3H?O。在這個反應中，氧化鐵與鹽酸反應，生成的氯化鐵溶于水，使鐵銹從金屬表面脫落。

應用場景：適用于去除金屬表面的銹跡、氧化皮以及一些堿性雜質。在半導體制造中，對于含有金屬層的晶圓，如果金屬層受到輕微氧化或有金屬氧化物雜質時，可在特定工藝步驟中使用稀釋的酸性溶液進行清洗。

堿性溶液清洗

原理：堿能與油脂、蛋白質等有機雜質發生反應，將其分解或乳化，使其易于被清洗掉。例如，氫氧化鈉（NaOH）溶液可以與油污發生皂化反應，將油污分解為高級脂肪酸鈉（肥皂的主要成分）和甘油，兩者都溶于水。其化學反應方程式為：(C??H??COO)?C?H? + 3NaOH = 3C??H??COONa + C?H?(OH)?。

應用場景：常用于清洗帶有有機物污染的晶圓表面，如光刻膠殘留或其他有機污染物。在一些晶圓制造過程中，若光刻膠在去除后仍有有機殘留，可能會影響后續的摻雜或電鍍等工藝，此時可采用堿性溶液進行清洗來去除這些有機雜質。

絡合劑清洗

原理：絡合劑能夠與金屬離子形成穩定的絡合物，從而使金屬離子從晶圓表面溶解到溶液中。例如，乙二胺四乙酸（EDTA）可以與許多金屬離子（如Ca2?、Mg2?、Fe3?等）形成穩定的螯合物。以EDTA與鈣離子的反應為例，其化學反應式為：Ca2? + Y??（EDTA）= CaY2?。這種絡合作用可以使晶圓表面的金屬離子雜質溶解到清洗液中。

應用場景：當晶圓表面存在金屬離子污染時，絡合劑清洗是一種有效的方法。在超大規模集成電路制造中，即使微量的金屬離子污染也可能導致電路性能下降，使用絡合劑可以有效去除這些有害的金屬離子。

氧化劑 - 還原劑清洗

原理：通過氧化劑將雜質氧化，然后利用還原劑將氧化后的雜質進一步處理，使其易于被清洗掉。例如，先使用氧化劑（如過氧化氫H?O?）將金屬表面的有機雜質氧化，有機雜質中的碳元素被氧化為二氧化碳（CO?），然后再用還原劑（如亞硫酸鈉Na?SO?）將可能產生的殘留氧化劑反應掉，避免對晶圓造成損害。其化學反應方程式為：有機雜質 + H?O? → CO?↑ + H?O（未配平）；H?O? + Na?SO? = Na?SO? + H?O。

應用場景：在清洗晶圓表面復雜的有機和無機混合物雜質時比較有效。比如在晶圓經過多道加工工序后，表面可能存在多種類型的污染物，采用氧化劑 - 還原劑組合清洗可以更徹底地清潔晶圓表面。

二、電化學腐蝕清洗法

陽極溶解法

原理：以晶圓作為陽極，在電解液中施加一定的電壓，使晶圓表面的材料發生陽極氧化反應而溶解。例如，對于硅晶圓，在含氟離子（F?）的電解液中，硅會在陽極失去電子生成硅氟酸根離子（SiF?2?）。其電極反應式為：Si - 4e? + 6F? = SiF?2?。

應用場景：可用于調整晶圓表面的粗糙度或者去除非常薄的表面層。在一些高精度的半導體器件制造中，需要精確控制晶圓表面的平整度，通過陽極溶解法可以對表面進行微量的去除，以達到所需的平整度要求。

陰極還原清洗法

原理：將晶圓作為陰極，在電解液中施加電壓，使溶液中的陽離子在晶圓表面得到電子而被還原，同時促使雜質在陰極表面沉積或還原分解。例如，在含有銅離子（Cu2?）的電解液中，銅離子在陰極（晶圓）上得到電子被還原為金屬銅（Cu）。其電極反應式為：Cu2? + 2e? = Cu。

應用場景：常用于去除晶圓表面的金屬雜質離子。在半導體制造過程中，如果晶圓表面吸附了金屬雜質離子，這些離子可能會影響器件的性能，通過陰極還原清洗可以將金屬離子還原并去除。

審核編輯 黃宇