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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-03-19 09:55 ? 次閱讀

該產(chǎn)品旨在超越硅MOSFETIGBT的性能,在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)超快切換。

中國(guó),北京,2018年3月15日訊 - 全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET,為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,旨在為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),分別僅為120毫歐姆和160毫歐姆。 這些碳化硅MOSFET可在各種電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中用作電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),其在阻斷電壓、特征導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面的性能顯著優(yōu)于其他硅MOSFET。 其還兼具高工作電壓和超高切換速度,這是具有類(lèi)似額定電流和封裝的硅IGBT等傳統(tǒng)功率晶體管方案所無(wú)法企及的。

這些新型碳化硅MOSFET的典型應(yīng)用包括:

·電動(dòng)汽車(chē)

·工業(yè)機(jī)械

·可再生能源(如太陽(yáng)能逆變器

·醫(yī)療設(shè)備

·開(kāi)關(guān)式電源

·不間斷電源(UPS)

·電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

·高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

·感應(yīng)加熱

“這些新型碳化硅MOSFET為電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師提供了傳統(tǒng)硅基晶體管的先進(jìn)替代選擇。”Littelfuse電源半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Michael Ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切換能力提供了各種優(yōu)化設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì),包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

·從系統(tǒng)層面減少的無(wú)源濾波器組件數(shù)量有助于提高功率密度,為高頻高效應(yīng)用打造優(yōu)化設(shè)計(jì)。

·極低的柵極電荷和輸出電容結(jié)合超低導(dǎo)通電阻可最大限度地減少功率耗散,提高效率并降低所需冷卻技術(shù)的規(guī)模和復(fù)雜性。

供貨情況

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝,提供450只裝管式包裝。 您可通過(guò)全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商名錄,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)littelfuse.com。

關(guān)于 Littelfuse

Littelfuse 成立于 1927 年,是電路保護(hù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,功率和傳感領(lǐng)域的全球平臺(tái)也在不斷增長(zhǎng)。公司以其在保險(xiǎn)絲半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、繼電器和傳感器等方面的技術(shù)服務(wù)于電子產(chǎn)品、汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的客戶(hù)。Littelfuse 在全球 50 多個(gè)辦事處擁有超過(guò) 1.1 萬(wàn)名員工。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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