概述

HMC1132PM5E 是一款四級、砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器。該器件工作頻率范圍為 27 GHz 至 32 GHz，提供 24 dB 增益和 29.5 dBm 飽和輸出功率，并采用 5 V 電源供電。

HMC1132PM5E 提供卓越的線性度和 37 dBm 的高輸出三階交調截點(IP3)，并針對高容量、點到點和點到多點無線電系統進行優化。放大器配置和高增益使 HMC1132PM5E 成為天線之前最后一級信號放大的理想選擇。

HMC1132PM5E 放大器輸入/輸出(I/O)內部匹配 50 Ω。該器件采用符合 RoHS 標準的 5 mm × 5 mm LFCSP 預制空腔 LFCSP 封裝，與高容量表貼技術(SMT)裝配設備兼容。
數據表：*附件：HMC1132PM5E 27GHz至32GHz，GaAs，pHEMT，MMIC功率放大器技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電
• 甚小孔徑終端 (VSAT) 和衛星通信 (SATCOM)
• 軍事與太空

特性

• P ~SAT：29.5 dBm
• 高輸出 IP3：37 dBm
• 高增益：29 GHz 到 32 GHz 時為 24 dB（典型值）
• 直流電源：600 mA 時 5 V
• 50 Ω 匹配輸入/輸出
• 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝：25 mm2

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

HMC1132PM5E功率放大器的架構如圖48所示。該放大器由級聯的四個單級放大器組成。這種方法提供高PldB以及在整個工作頻率范圍內平坦的高增益。VDD1向前三個增益級提供漏極偏置。

圖49顯示了典型應用電路。