新成果展示：發光-探測雙功能AlGaN基集成光電子器件模型的開發與應用
原位集成的發光-探測雙功能光電子器件中存在斯托克斯位移現象，這降低了發射光譜和探測光譜的重疊率，從而抑制了集成光電子器件的光電耦合效應。
近期天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊開發了發光-探測雙功能物理模型，同時提出并設計了具有非對稱多量子阱結構的AlGaN基發光-探測雙功能集成光電子器件：在發射區中采用極化自屏蔽的有源區結構，在探測區中采用常規有源區結構。
圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結構示意圖。圖2（a）展示了器件的發射光譜和響應度光譜，極化自屏蔽有源區設計可以提高LED發光譜和PD吸收譜的重合率，從而顯著地提高了探測器的光電流強度，如圖2（b）所示。
圖1. LED與PD原位集成光電子器件的結構示意圖：區域I和II分別為探測區和發射區
圖2.（a）LED發射光譜和探測器響應度，（b）探測器的光電流和暗電流
研究成果已被物理-光學領域權威期刊Optics Express收錄，文章鏈接：https://doi.org/10.1364/OE.558113。
審核編輯 黃宇
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