#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#

在全負(fù)載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時(shí)，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以體現(xiàn)，滿足了六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，有效避免了能源的無謂消耗，對(duì)于電子設(shè)備的應(yīng)用而言，是非常值得推薦的一顆芯片！

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電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內(nèi)的離線式反激開關(guān)變換器，滿足VI級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。U8621采用SOP-8并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果。

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電源管理芯片U8621引腳名稱：

1 GND 芯片內(nèi)部電路電位基準(zhǔn)引腳

2 VCC 芯片內(nèi)部電路供電引腳

3 FB 輸出反饋輸腳，芯片 PWM 輸出的頻率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 電感峰值電流采樣輸入引腳

5、6、7、8 PD 內(nèi)置高壓功率 MOS 的漏極

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電源管理芯片U8621根據(jù)FB腳電平自動(dòng)匹配工作模式，當(dāng)FB電平低于1.1V時(shí)，芯片進(jìn)入打嗝工作模式，此模式下芯片工作頻率為25KHz，最小導(dǎo)通時(shí)間為1.2uS；當(dāng)FB電平低于1.7V時(shí)，芯片進(jìn)入變頻模式，此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動(dòng)，驅(qū)動(dòng)高電平時(shí)間由FB和CS電平控制；當(dāng)FB電平大于3.7V時(shí)，芯片進(jìn)入恒功率模式，此時(shí)芯片工作頻率為65KHz，PWM占空比由對(duì)應(yīng)的VOCP控制。

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電源管理芯片U8621具備恒功率輸出模式，當(dāng)FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對(duì)應(yīng)的VOCP來控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi)的恒功率性能，對(duì)VOCP值根據(jù)占空比進(jìn)行補(bǔ)償。U8621采用專用的抖頻技術(shù)，在中心頻率的±5%范圍內(nèi)隨機(jī)選擇工作頻率，使得電源系統(tǒng)的電磁兼容性能得到最大化的應(yīng)用！