小小MOSFET，大有乾坤。在電力電子系統中，MOSFET作為核心元件扮演著至關重要的角色，支撐從數據中心到通訊基站等各種開關電源應用。雖然其應用廣泛且深受歡迎，但技術挑戰依舊嚴峻。伴隨器件尺寸的縮減，物理限制逐漸顯現，MOSFET面臨著性能瓶頸；加之苛刻環境對可靠性的迫切要求，構成了需要共同攻克的難題。

東芝推出并已大量投放到市場應用的150 V N溝道功率MOSFETTPH9R00CQ5，采用最新一代U-MOX-H工藝，實現了更小的體積，同時具有業界領先的低導通電阻和優化的反向恢復特性，有助于降低損耗，提高電源效率。在工業設備開關電源、數據中心和通信基站等電源應用中，該器件展現出了其卓越的性能，有效解決了上述技術難題。

一、MOSFET功能特性分析

東芝TPH9R00CQ5 MOSFET具備僅為9.0 mΩ（最大值）的行業領先的低漏源導通電阻，相較于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其導通電阻降低了約42%。這一顯著改進意味著，在相同的工作條件下，TPH9R00CQ5產生的功耗更少，進而提升了電源的整體效率。

除了低導通電阻外，TPH9R00CQ5在反向恢復特性上也實現了重大突破。與東芝的另一款產品TPH9R00CQH4相比，其反向恢復電荷減少了約74%，反向恢復時間縮短了約44%。這兩個關鍵指標的優化，使得TPH9R00CQ5在同步整流應用中表現出色，能夠顯著降低開關電源的功率損耗，進一步提升系統效率。

此外，TPH9R00CQ5還降低了開關過程中產生的尖峰電壓，這對于減少電源的電磁干擾（EMI）至關重要。降低EMI不僅有助于提高系統的可靠性，還能減少對其他電子設備的干擾，從而確保整個系統的正常運行。

在封裝方面，TPH9R00CQ5采用業界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝，使該器件在設計和制造過程中更加靈活和便捷。SOP封裝具有小尺寸、低成本、易于焊接和布局緊湊的特點。

二、TPH9R00CQ5的主要特性

（1）業界領先的低漏源導通電阻：RDS(ON)＝9.0 mΩ（最大值）（VGS＝10 V）

（2）業界領先的低反向恢復電荷：Qrr＝34 nC（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs）

（3）業界領先的快速反向恢復時間：trr＝40 ns（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs）

（4）小反向恢復電荷：Qrr=34 nC（典型值）

（5）小柵極電荷：QSW=11.7 nC（典型值）

（6）低漏電流：IDSS=10 μA（最大）（VDS=150 V）

（7）高結溫額定值：Tch（最大值）＝175 ℃

（8）增強模式：Vth=3.1至4.5 V（VDS=10 V，ID=1.0 mA）

（9）封裝和內部電路：SOP Advance（N）

SOP Advance（N）封裝

TB67B001FTG的主要規格

三、產品亮點及應用方向

東芝TPH9R00CQ5 MOSFET的最大優勢在于其內阻更小以及反向恢復電荷的顯著降低。在這兩個特性的共同作用下，該器件在電源應用中能夠更高效地工作，有效降低功耗并提升系統效率。具體而言，其低內阻特性減少了導通狀態下的功耗，而優化的反向恢復特性則降低了開關過程中的功耗，共同為系統效率的提升做出了重要貢獻。

東芝TPH9R00CQ5的應用方向是工業設備開關電源，包括用于數據中心和通信基站的電源，也包括高效率DC-DC轉換器、開關穩壓器、電機驅動器等。

為了方便用戶使用該產品開發各種應用，東芝提供支持開關電源電路設計的相關工具，包括迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，以及能夠準確再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝此前已有的“1 kW全橋DC-DC轉換器”參考設計可用于TPH9R00CQ5；新開發的參考設計包括“用于通信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”。

“1 kW全橋DC-DC轉換器”參考設計

“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設計

總的來說，東芝推出的150 V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5，憑借其卓越的技術性能和廣泛的應用前景，在市場應用中卓有成效。這款高性能MOSFET不僅滿足了數據中心和通信基站等高端應用的需求，更以其出色的性能和穩定性，顯著提升了東芝在功率半導體領域的競爭力。

展望未來，東芝將繼續深耕功率MOSFET領域，致力于擴大產品線，降低功率損耗，提高電源效率，助力改善設備效率，推動行業進步。

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