東芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。
與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性之間的平衡，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關電源的電磁干擾（EMI）。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。
與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
審核編輯：彭菁
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