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瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2025-01-22 17:04 ? 次閱讀

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF。這兩款產(chǎn)品專為電機(jī)控制電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計,旨在提供卓越的大電流開關(guān)性能。

RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF的推出,標(biāo)志著瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。這兩款MOSFET憑借出色的電氣特性和熱穩(wěn)定性,將為用戶帶來更高效、更可靠的解決方案。

據(jù)悉,基于這兩款創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心以及不間斷電源(UPS)等。這些應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,不僅進(jìn)一步證明了瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)方面的領(lǐng)先地位,也預(yù)示著未來電子設(shè)備在能效和可靠性方面將迎來顯著提升。

瑞薩電子的這一創(chuàng)新成果,無疑將為全球半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力,推動相關(guān)領(lǐng)域的快速發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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