全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF。這兩款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計,旨在提供卓越的大電流開關(guān)性能。
RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF的推出,標(biāo)志著瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。這兩款MOSFET憑借出色的電氣特性和熱穩(wěn)定性,將為用戶帶來更高效、更可靠的解決方案。
據(jù)悉,基于這兩款創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心以及不間斷電源(UPS)等。這些應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,不僅進(jìn)一步證明了瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)方面的領(lǐng)先地位,也預(yù)示著未來電子設(shè)備在能效和可靠性方面將迎來顯著提升。
瑞薩電子的這一創(chuàng)新成果,無疑將為全球半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力,推動相關(guān)領(lǐng)域的快速發(fā)展。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8282瀏覽量
218613 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28618瀏覽量
232845 -
瑞薩電子
+關(guān)注
關(guān)注
37文章
2911瀏覽量
73127
發(fā)布評論請先 登錄
100V/3A大功率異步降壓控制器內(nèi)置NMOS 外圍簡潔
DCDC降壓型100V耐壓芯片 SL3041,輸出可調(diào) 3A電流,替換LM2576HV
瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝
PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

瑞薩電子推出全新Type-C端口控制器和升降壓電池充電器
瑞薩電子發(fā)布全新USB-PD解決方案
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述

瑞薩電子推出全新AnalogPAK可編程混合信號IC系列
瑞薩e2studio(1)----瑞薩芯片之搭建FSP環(huán)境
AP9193 LED大功率升壓恒流驅(qū)動芯片
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案

評論