較為激進的技術路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率,這高于
發表于 04-18 10:52
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測,三星8層
發表于 02-18 11:00
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產
發表于 11-14 16:44
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近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現有封裝設施基礎上,再建一座半導體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)等內存產品的生產。據悉,
發表于 11-13 11:36
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據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進
發表于 10-10 15:25
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三星電子近期發布預測,指出全球HBM(高帶寬內存)需求正迎來爆發式增長。據三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今
發表于 09-27 14:44
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三星電子近期調整了其晶圓代工產能擴充計劃,決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建,轉而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器(HBM)的生產上。這一戰略調整反映了
發表于 09-19 17:23
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三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM
發表于 08-22 17:19
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在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現。數據顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業利潤更是達到了6.45萬億韓元,這一
發表于 08-01 14:42
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近日,三星電子在半導體領域再傳捷報,其高頻寬內存(HBM)產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達(NVIDIA)的嚴格認證,標志著該產品即將進入規模化生產階段,
發表于 07-18 09:36
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近期,有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內存)質量測試,并預計很快將啟動量產流程,以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星
發表于 07-05 15:08
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在半導體技術的競技場上,三星正全力沖刺,準備在2027年推出一系列令人矚目的創新。近日,三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技
發表于 06-21 09:30
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近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論
發表于 06-19 14:35
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英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM(高帶寬內存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉達仍在認證三星提供的HBM內存,并否認了三星
發表于 06-06 10:06
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針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產品未達英偉達品質標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星的HBM產品尚
發表于 05-27 09:51
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