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去除晶圓表面顆粒的原因及方法

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-11-11 09:40 ? 次閱讀

本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。

在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個至關重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學品如硫酸,鹽酸,雙氧水,氨水,氫氟酸等用于清洗。

為什么在工序中不斷清洗以去除顆粒?

顆粒會引起芯片的短路或開路,半導體制造是一個多步驟的過程,每一步工序都會產生大量的顆粒,需要將晶圓表面的顆粒控制在極低范圍內才能繼續下一工序。

用什么藥液?

業內標準藥液:SC-1(StandardClean-1),又名APM,又名RCA-1。是由沃納·科恩 (Werner Kern) 于1965 年在美國無線電公司(RCA) 工作時開發了這一配方,一直沿用至今。

配比為:氨水:雙氧水:超純水=1:1:6,可根據實際情況調整配比。在 75℃左右,超聲浸泡 10 分鐘。這種堿-過氧化物混合藥液可去除部分的有機物和幾乎全部的顆粒。

SC-1去除顆粒的原理

由于氨水能夠解離出氫氧根離子,氫氧根離子可以使晶圓表面帶負電,且可以改變顆粒的zeta 電位并使顆粒與晶圓相互排斥,而達到去除顆粒以及防止顆粒再次沉積的目的。


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原文標題:12寸晶圓是如何清洗去除表面顆粒的?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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