霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等。霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的磁傳感器。用它們可以檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化，可在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使用。

霍爾元件具有許多優(yōu)點(diǎn)，它們的結(jié)構(gòu)牢固，體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)，安裝方便，功耗小，頻率高（可達(dá)1MHZ），耐震動(dòng)，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關(guān)器件無觸點(diǎn)、無磨損、輸出波形清晰、無抖動(dòng)、無回跳、位置重復(fù)精度高（可達(dá)μm 級(jí)），采用了各種補(bǔ)償和保護(hù)措施，霍爾器件的工作溫度范圍寬，可達(dá)－55℃～150℃。

霍爾元件的特性

1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH

在磁場(chǎng)不太強(qiáng)時(shí)，霍爾電勢(shì)差UH與激勵(lì)電流I和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應(yīng)的強(qiáng)弱。 另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）

霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍爾常數(shù)。

3、霍爾額定激勵(lì)電流

當(dāng)霍爾元件自身溫升10℃時(shí)所流過的激勵(lì)電流稱為額定激勵(lì)電流。

4、霍爾最大允許激勵(lì)電流

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流稱為最大允許激勵(lì)電流。

5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵(lì)電極間的電阻值稱為輸入電阻。

6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。

7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)

在不施加磁場(chǎng)的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，電阻的相對(duì)變化率，用α表示，單位為%/℃。

8、霍爾不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)）

在沒有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為不等位電勢(shì)。

9、霍爾輸出電壓

在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為霍爾輸出電壓。

10、霍爾電壓輸出比率

霍爾不等位電勢(shì)與霍爾輸出電勢(shì)的比率

11、霍爾寄生直流電勢(shì)

在外加磁場(chǎng)為零、霍爾元件用交流激勵(lì)時(shí)，霍爾電極輸出除了交流不等位電勢(shì)外，還有一直流電勢(shì)，稱寄生直流電勢(shì)。

12、霍爾不等位電勢(shì)

在沒有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。

13、霍爾電勢(shì)溫度系數(shù)

在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。它同時(shí)也是霍爾系數(shù)的溫度系數(shù)。

14、熱阻Rth

霍爾元件工作時(shí)功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，

單位為： 攝氏度/w

無刷電機(jī)霍爾傳感器AH44E

開關(guān)型霍爾集成元件，用于無刷電機(jī)的位置傳感器。

引腳定義（有標(biāo)記的一面朝向自己）：（左）電源正；（中）接地；（右）信號(hào)輸出

體積（mm）：4.1*3.0*1.5

安裝時(shí)注意減少應(yīng)力與防靜電

霍爾元件靈敏度

從原理看：

VH=KHIB

KH稱為靈敏度。單位為mV/（mA.G）

實(shí)際的霍爾元件，通常分為開關(guān)型或線性型兩種，開關(guān)型一般不標(biāo)稱靈敏度。線性型通常電流I由內(nèi)部電路決定。因此，靈敏度的定義發(fā)生了變化。

VH=KHB。單位變?yōu)閙V/G

一般在1~5mV/G，假設(shè)供電電流為10mA，也可轉(zhuǎn)變?yōu)椋?/p>

KH=0.1~0.5mV/（mA.G）