宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管(EPC2049),應用于負載點(POL)轉換器、激光雷達(LiDAR)及具低電感的馬達驅動器。
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管,應用于負載點(POL)轉換器、激光雷達(LiDAR)、包絡跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導通電阻為5 m?及脈沖輸出電流為175 A。
與采用塑膠封裝的MOSFET相比,采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應晶體管的散熱性能好很多,這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環境,而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 設計師不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產品,而是二者可以同時兼得!
EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱:「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術如何提升eGaN?器件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在繼續擴大。」
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原文標題:宜普電源推出40 V氮化鎵功率晶體管,比等效MOSFET小型化8倍
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