半導體設備國產化是實現國產化芯片最關鍵的一役，近期，包括北方華創、電科裝備集團分別在立式氧化爐、化學機械拋光設備皆相繼取得生產階段性突破，盡管，面對國外廠家激烈競爭與商業興訟圍堵手段，國產設備廠家仍取得積極性進展。另方面，據業內人士透露，中微也將極積反擊Veeco，為捍衛自有專利再攻下一城。

北方華創12吋立式氧化爐Move In長江存儲

近日，北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的12吋立式氧化爐THEORISO302 Move In長江存儲生產線，將應用于長江存儲生產3D NANDFlash制程，擴展了國產立式氧化爐的應用領域。

THEORISO302立式氧化爐是北方華創微電子的一款成熟產品，已批量用于中芯國際、上海華力微芯片生產線，本次Move in長江存儲生產線，顯示其已全面覆蓋應用于LOGIC、DRAM、NAND等產品工藝生產制程，成為客戶的POR（Process of Record）機臺（擴產優先采購機臺）。

北方華創藉由半導體行業景氣持續提升，順利跨入晶圓廠主流裝備供應商行列。目前包括12吋晶圓制造的刻蝕機、PVD、立式氧化爐、清洗機、LPCVD等設備和氣體質量流量控制器等產品,都已批量進入了國內主流集成電路生產線。北方華創預計，到2018年，將有40多種裝備可以通過生產一線用戶認證，進入采購行列。

值得注意的是，其目前所承擔的“02專項”16/14nm工藝制程設備也正在加速研發中。

國產自研CMP進入中芯大生產線

由中電科電子裝備集團有限公司（簡稱“電科裝備”）研發的國內首臺擁有自主知識產權的8吋CMP（化學機械拋光）設備，近日也進入中芯天津8吋大生產線進行產線驗證。這是國產CMP設備首次進入集成電路大生產線驗證，填補了國產設備產線驗證的空白。

CMP是集成電路硅片制造表面精細拋光的重要工藝制程，也是實現集成電路3D TSV封裝工藝的關鍵工藝手段。

據介紹，這套國產8吋CMP設備由拋光、清洗、晶圓傳輸三大模塊組成，按照國際標準設計，能夠滿足集成電路晶圓制造中所有復雜平坦化工藝需求，包括STI、ILD、contactor、metal line等；同時滿足TSV、MEMS等領域平坦化工藝要求，適用于主流半導體材料包括氧化物、氮化物、硅、鎢、銅、鉭、鋁等，以及特殊材料（如聚合物等）。

該套設備在交付前已經進行3個批次近一萬片工藝試驗，性能指標經中芯測試已經達到設備進廠在線驗證要求，未來6個月進廠后將經受大生產的考驗。

面對國際挑戰 國產設備底氣足

盡管屢傳好消息，國產設備在國內晶圓廠的認證與生產都取得長足的進展，但同樣的，也遭逢國際競爭者的挑戰，并以訴訟作為商業競爭手段。

日前美國MOCVD（金屬有機化合物氣相沉積設備）設備廠Veeco向美國紐約東區地方法院提出針對SGL Carbon，LLC（SGL）禁令請求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術的MOCVD使用的晶圓承載器（即石墨盤），包括專為中國MOCVD設備商中微半導體設計的石墨盤。

而中微在國內進行關鍵性的反擊，日前，國家知識產權局專利復審委即作出審查決定，否決“Veeco上海”關于中微半導體專利無效的申請，確認中微半導體起訴Veeco上海專利侵權的涉案專利為有效專利。

事實上，中微半導體作為國產半導體裝備的“領頭羊”，已非首次遭逢專利官司的考驗，而且“交手”的對象還都是國際一線大廠包括應用材料(Applied Materials)、科林研發（Lam Research）。

2007年10月，應用材料將中微半導體告上了美國法庭，指控中微侵權；但2010年，雙方最終達成了和解，并解決了所有未決爭議。其中，雙方同意專利族將由雙方共同擁有。

就在今年2017年，中微與科林研發歷時長達8年的刻蝕機專利官司，中微控告其侵犯商業秘密，中微并取得了勝利。如今在LED裝備領域再度遭逢Veeco嚴峻的官司挑戰，這一次能否順利過關？

ICWise半導體首席分析師顧文軍則透露，中微在關于Veeco與SGL的官司上，似乎暫時判決對中微半導體不利，也起了業內對中微和LED公司的擔心，但他也透露，很快就會有好消息，不必太過悲觀。