在特拉華州舉行的四方領導人峰會之際，美國與印度攜手深化了半導體領域的合作，共同推出了一系列旨在促進技術創新與供應鏈韌性的重要舉措。9月21日，白宮發布的官方聲明揭示了美國總統拜登與印度總理莫迪達成的關鍵協議，宣布將合作建立一座先進的半導體制造工廠，專注于傳感、通信及電力電子產品的前沿生產。

這座新工廠將聚焦于紅外線、氮化鎵及碳化硅等高科技半導體材料的制造，并獲得了印度半導體領域代表團、Bharat Semi、3rdiTech公司以及美國太空軍等強大戰略伙伴的技術與資金支持。此舉旨在強化國家安全，推動下一代電信技術及綠色能源應用的革新與發展。

雙方領導人在聯合聲明中高度評價了為構建可靠且安全的半導體供應鏈所作的努力，特別提到了印度設立的格芯加爾各答“全球能力中心”，該中心致力于芯片制造技術的研發，旨在加速零排放與低排放汽車、物聯網設備、人工智能及數據中心等領域的進步。同時，雙方還探討了格芯與印度長期制造合作的潛力，期待為兩國創造更多高質量就業崗位。

此外，兩國政府還宣布了美國國務院與印度半導體代表團建立新戰略合作伙伴關系的消息，并與國際技術安全與創新（ITSI）基金保持戰略協同，以進一步鞏固雙方在半導體及相關領域的合作基礎。

聲明還強調了雙方在增強汽車市場供應鏈穩定性方面的合作成果，包括福特汽車公司計劃利用其在印度的欽奈工廠進行出口業務的積極意向。

為了促進學術與科研交流，拜登與莫迪還宣布了在未來五年內將投入超過9000萬美元資金支持美印全球挑戰研究所，旨在加深兩國大學與研究機構之間的合作，推動高影響力研究項目的發展。同時，雙方還慶祝了美印先進材料研發論壇的成立，標志著兩國在科研合作領域的又一重要里程碑。

在人工智能、量子技術及其他前沿科技領域，雙方領導人也強調了日益增強的合作態勢，并提及了美印量子協調機制會議的召開及通過美印科技捐贈基金（IUSSTF）為兩國在AI與量子領域的研究提供新獎勵的舉措。特別地，IBM與印度政府簽署的諒解備忘錄，標志著雙方在AI創新與半導體研究方面的深度合作邁入新階段。

最后，雙方領導人對當前在5G部署及下一代電信技術方面的緊密合作表示贊賞，并提及了美國國際開發署投資700萬美元與印度機構合作擴大亞洲Open RAN學院的合作項目，彰顯了雙方在推動全球電信技術發展的共同愿景與努力。