簡單三步！高效預測半導體器件使用壽命
電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件，同時，元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺，在不破壞待測器件的前提下，僅需三步，即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導體器件的使用壽命及熱可靠性。
第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準K系數(shù)（溫度敏感因子）
第二步：通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測器件的循環(huán)策略，啟動設(shè)備，進行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試
第三步：數(shù)據(jù)分析（支持數(shù)據(jù)導出，進行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
審核編輯 黃宇
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