5 月 10 日訊，國家信息光電子創新中心與鵬城實驗室合作研發成功首款國產 2Tb/s 硅光互連芯片，并首次在中國展示了 3D 硅基光電芯粒架構，在單片內實現了高達 8×256Gb/s 的單向互連帶寬。

該團隊在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎上，運用先進的光電協同設計仿真方法，開發出適配硅光的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，同時攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝難題，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。

經過系統傳輸測試，8 個通道在 224Gb/s PAM4 光信號速率下，TDECQ 均在 2dB 以內。通過進一步鏈路均衡，最高可支持速率達 8×256Gb/s，單片單向互連帶寬達到 2Tb/s。

此項研究成果將廣泛應用于下一代算力系統及數據中心所需的各類光模塊產品中，為我國信息光電子技術的發展提供了新的可能。