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威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-10 10:48 ? 次閱讀
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威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。

相比前代器件,Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E在性能上有了顯著提升。其導(dǎo)通電阻降低了27%,從而實現(xiàn)了更高的能效。同時,其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積的改進,進一步提升了600 V MOSFET的性能表現(xiàn)。

這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,無疑將推動通信、工業(yè)和計算領(lǐng)域的進一步發(fā)展,為這些領(lǐng)域帶來更高效、更可靠的解決方案。威世科技將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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