淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)
發(fā)表于 03-03 10:00
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。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片
發(fā)表于 04-15 13:52
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對SiC 襯底缺陷密度相對較高的問題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為2?07 nm的刻蝕表
發(fā)表于 10-06 09:48
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
發(fā)表于 11-18 11:44
半導(dǎo)體器件與工藝
發(fā)表于 08-20 08:39
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
發(fā)表于 08-20 19:40
在制造半導(dǎo)體器件時(shí),為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散
發(fā)表于 07-11 20:23
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 07-05 08:13
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-02 08:23
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-20 08:01
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初,業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會議,對2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會議的消息和廠商披露
發(fā)表于 07-07 11:38
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段,
發(fā)表于 09-02 18:02
超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)CMOS技術(shù)半導(dǎo)體表面經(jīng)過各種處理步驟,其中添加了具有特定幾何圖案的雜質(zhì)和其他材料
發(fā)表于 07-09 10:26
半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
發(fā)表于 05-26 11:46
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(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 11-25 02:35
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