4月25日，據(jù)臺(tái)積電發(fā)布的2023年度報(bào)告揭示，公司將于2025年下半年推出背面供電版N2制程節(jié)點(diǎn)，并于2026年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

該公司透露，N2制程將運(yùn)用先進(jìn)的GAA納米片技術(shù)，在性能和能效上都將達(dá)到全新高度，預(yù)計(jì)于2025年啟動(dòng)批量生產(chǎn)。

此外，N2的衍生版本——引入背面電源軌道方案的“最佳高性能計(jì)算應(yīng)用”，將緊隨標(biāo)準(zhǔn)版N2之后投入市場(chǎng)。

傳統(tǒng)芯片制造方式是自下而上，先制作晶體管，然后構(gòu)建互聯(lián)和供電線路層。然而，隨著制程工藝的不斷縮小，傳統(tǒng)供電模式的線路層變得愈發(fā)復(fù)雜，給設(shè)計(jì)和制造帶來(lái)困擾。

背面供電將芯片供電網(wǎng)絡(luò)移至晶圓背面，從而簡(jiǎn)化了供電路徑，解決了互聯(lián)瓶頸，減少了供電對(duì)信號(hào)的干擾，進(jìn)而降低了整個(gè)平臺(tái)的電壓和功耗。

臺(tái)積電的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾和三星也都在積極推進(jìn)背面供電技術(shù)的研發(fā)。據(jù)悉，英特爾計(jì)劃在今年上半年的Intel 20A節(jié)點(diǎn)引入背面供電，而三星則有望在2025年的SF2節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)。

因此，可以預(yù)見(jiàn)，2nm制程將成為背面供電技術(shù)商業(yè)化應(yīng)用的重要里程碑。