將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體，一個(gè)個(gè)判定是否為良品，此制程稱為“晶圓針測(cè)制程”。

將半導(dǎo)體晶片切割之前

一般來(lái)說(shuō)，在物品的制造階段，越接近后段制程，半成品的附加價(jià)值也越高，因此當(dāng)最終變成不良品的可能性很高的時(shí)候，會(huì)盡量于前段制程將其除去，以便有利于制程數(shù)及成本兩個(gè)面向。

尤其是在半導(dǎo)體制造的前段制程中，因矽晶圓上制作了很多個(gè)半導(dǎo)體晶片，即使在制作過(guò)程中發(fā)現(xiàn)其中有不良品，也無(wú)法只將某個(gè)不良品本身去除。因此，矽晶圓階段的良否判定，是在切割半導(dǎo)體晶片以前進(jìn)行。

良品的判定標(biāo)準(zhǔn)，依晶圓的狀態(tài)、最終半導(dǎo)體成品的狀態(tài)等，而有所不同。因規(guī)格的差異將造成各種不同的條件設(shè)定差別，故判定規(guī)格的合理化設(shè)定相當(dāng)重要。也就是說(shuō)需要“不過(guò)份寬松、不過(guò)份嚴(yán)格”。原因是，若規(guī)格過(guò)于寬松，不良品將流出到后面的制程中，而若規(guī)格過(guò)于嚴(yán)格，則會(huì)將良品也打掉。

如圖3-4-1所示，在晶圓針測(cè)制程中，將晶圓設(shè)置在稱為“探針”的機(jī)器測(cè)試平臺(tái)上，使用探針，一根一根地接觸半導(dǎo)體晶片上所有的電極測(cè)試點(diǎn)。為了達(dá)成這個(gè)目的，使用的是依照每個(gè)不同半導(dǎo)體的全部電極測(cè)試點(diǎn)而配置的“探針卡”。

從探針卡的探針接出來(lái)的訊號(hào)有：電源線、接地線、輸入輸出訊號(hào)線、計(jì)數(shù)訊號(hào)等，并連接到內(nèi)裝有電腦、稱為Tester的半導(dǎo)體測(cè)試器上。

Tester對(duì)半導(dǎo)體輸入特定的訊號(hào)波形時(shí)，半導(dǎo)體輸出的訊號(hào)波形，將被事先程式化的波形進(jìn)行比對(duì)，借而判定半導(dǎo)體晶片的良否。

當(dāng)然，若半導(dǎo)體未輸出訊號(hào)的情況下，也會(huì)判定成不良品。

經(jīng)由上述的過(guò)程，判定成不良品的半導(dǎo)體晶片將被自動(dòng)注記打點(diǎn)。當(dāng)完成一個(gè)晶片的測(cè)試，探針的平臺(tái)將移動(dòng)到下一個(gè)晶片位置，進(jìn)行下一個(gè)晶片的測(cè)試。此過(guò)程將重復(fù)至整個(gè)晶圓上的全部的半導(dǎo)體晶片都被測(cè)試過(guò)，并且完成良品的判定。

審核編輯：劉清