電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)早在2021年,接任英特爾CEO不久的Pat Gelsinger就提出了IDM 2.0的策略,更是扔出了四年內(nèi)跨越五個工藝節(jié)點這個大目標。由于曾經(jīng)10nm多次延期的慘痛經(jīng)歷,不少人下意識認為這樣的目標似乎并不靠譜。
然而在英特爾頻繁地進行業(yè)務(wù)調(diào)整,在各地政府的支持下加大晶圓廠的建設(shè),并順利推出了Intel 7和Intel 4兩大關(guān)鍵節(jié)點的產(chǎn)品后,似乎四年五個工藝節(jié)點的計劃一切進展順利,也在穩(wěn)步地進行。
在近期舉辦的IFS Direct Connect大會上,英特爾正式將晶圓代工業(yè)務(wù)重新命名為Intel Foundry,并稱其為首個為AI時代設(shè)計的系統(tǒng)晶圓代工廠。英特爾也隨之公布了2027年前會繼續(xù)新增的更多工藝節(jié)點,同時立下目標,在2030年成為全球第二的晶圓代工廠。
14A:首個高NA EUV***節(jié)點
隨著EUV***得到廣泛使用,英特爾已經(jīng)進入了全面推進先進工藝節(jié)點的節(jié)奏。即便是剛推出不算久的Intel 7,也在此次被英特爾列為成熟工藝節(jié)點。而在先進的工藝節(jié)點上,英特爾已經(jīng)規(guī)劃好了Intel 3、Intel 18A和14A的后續(xù)路線圖。
Intel Foundry工藝路線圖 / 英特爾
在開始大規(guī)模使用EUV機器的Intel 3工藝上,英特爾將在2025年推出首個使用TSV/Foveros Direct的Intel 3-T節(jié)點,以及特性增強的Intel 3-E節(jié)點(支持高電壓等)。最后,基于Intel 3-T的設(shè)計,英特爾將首度推出新節(jié)點中的第一個高性能節(jié)點,Intel 3P-T,相較普通的Intel 3-T,Intel 3P-T的性能應(yīng)該會有5%到10%的增強。
而在英特爾18A上,正如之前公布的一樣,盡管首臺高NA EUV***主要組件已經(jīng)送達英特爾的晶圓廠內(nèi),但18A并不會是首個用上該天價設(shè)備的工藝。與此同時,英特爾也將在2025年推出Intel 18A的高性能節(jié)點,Intel 18A-P。
畢竟英特爾強調(diào)18A會成為他們新一代的長壽工藝,推出高性能節(jié)點也在意料之中,未來估計會有不少服務(wù)器芯片都基于該節(jié)點打造,比如已經(jīng)成功流片的下一代至強CPU Clearwater Forest,以及側(cè)重AI性能的Panther Lake處理器。
英特爾表示在Intel 18A上,將用上他們所有最新的技術(shù),包括PowerVia、RibbonFET、EMIB和Foveros Direct。不過此次英特爾并沒有公開英特爾18A的TSV版本,或許相關(guān)的3D堆疊技術(shù)在先進工藝節(jié)點上仍在進行攻關(guān)。
最后則是英特爾試圖重回半導(dǎo)體制造領(lǐng)先定位的殺手锏,Intel 14A。在Intel 14A工藝上,英特爾將首度用到高NA EUV***,并將于2026年末開始風(fēng)險試產(chǎn)。除此之外,英特爾也將提供特性增強的Intel 14A-E節(jié)點,將于2027年開始風(fēng)險試產(chǎn)。
作為率先使用高NA EUV***的工藝,無疑14A才是英特爾試圖找回半導(dǎo)體制造領(lǐng)導(dǎo)地位的王牌。該工藝將在俄勒岡州進行開發(fā),首批芯片也將在這里投產(chǎn)。不過英特爾并未公開任何Intel 14A用到的技術(shù)信息,比如是否會用到RibbonFET和PowerVia的迭代版本等。
高塔和聯(lián)電,兩大合作工藝節(jié)點
盡管英特爾收購高塔半導(dǎo)體的計劃已經(jīng)告吹,但兩者之間的合作卻并未因此終止。去年9月5日,英特爾宣布與高塔半導(dǎo)體達成合作,將提供半導(dǎo)體代工服務(wù)以及300mm晶圓的制造產(chǎn)能,用于幫助高塔半導(dǎo)體服務(wù)全球客戶,這樣一來高塔半導(dǎo)體也得以使用英特爾在美國新墨西哥州Fab11X的晶圓廠設(shè)備。
這次合作也不是英特爾單方面的投入,高塔半導(dǎo)體也會投資3億美元用于該廠的設(shè)備和固定資產(chǎn),從而為高塔半導(dǎo)體未來提供超過60萬曝光層的月產(chǎn)能,助力其滿足模擬處理相關(guān)客戶的需求。不過此次投資的并非先進工藝節(jié)點,而是成熟的65nm工藝,主要用于打造高塔半導(dǎo)體差異化的電源管理芯片和RF SOI解決方案,據(jù)悉該節(jié)點預(yù)計在今年進行全面的工藝流程驗證。
同樣與英特爾達成合作的還有聯(lián)電,今年1月25日,聯(lián)電和英特爾共同宣布,雙方將合作開發(fā)12nm的工藝平臺,用于應(yīng)對移動、通信基建和網(wǎng)絡(luò)等高增長市場,這一新的工藝節(jié)點將在英特爾位于亞利桑那州的三個晶圓廠進行開發(fā)和制造,預(yù)計2027年開始量產(chǎn)。考慮到該節(jié)點獨立于英特爾提供的其他成熟節(jié)點,由此看來英特爾并沒有打算在該節(jié)點上吃老本,而是選擇與聯(lián)電借助現(xiàn)有的DUV設(shè)備打造新的工藝節(jié)點。
臺積電的大客戶,都成了英特爾代工的站臺者
在本次大會上,英特爾請來了不少行業(yè)大咖為其站臺,包括OpenAI CEO Sam Altman、微軟CEO Satya Nadella,以及來自聯(lián)發(fā)科、Arm、博通,以及新思、Cadence、西門子和Ansys四大EDA巨頭的高管。
其中微軟、聯(lián)發(fā)科都已經(jīng)確定與英特爾達成了代工合作,而Arm以及一眾EDA廠商,都已經(jīng)在為其提供EDA/IP支持。由此看來,英特爾是鐵了心地想要超過臺積電,這才會持續(xù)挖掘臺積電的大客戶,哪怕是AMD、英偉達,也在英特爾的潛在合作范圍內(nèi)。
在為客戶提供的代工工藝上,英特爾主打Intel 3、Intel 18A和Intel 14A這三個先進工藝,以及Intel 16這一成熟工藝。另一個值得關(guān)注的點是英特爾提供的先進封裝能力,在先進封裝產(chǎn)能有所欠缺的當下,即便廠商不愿意臨時更換晶圓廠,但交由臺積電生產(chǎn)芯片,再給英特爾來完成封裝也是可行的。
據(jù)臺灣媒體報道,由于臺積電CoWoS先進封裝產(chǎn)能不足,英偉達已經(jīng)把英特爾列為備選先進封裝方案供應(yīng)商,最快將于進來了第二季度投入生產(chǎn),月產(chǎn)能可達5000片。不過目前臺積電所能提供的先進封裝產(chǎn)能已經(jīng)得到了大幅改善,今年首季月產(chǎn)能預(yù)計將達到5萬片,所以主要貢獻者依然是臺積電,但英特爾的出現(xiàn)無疑讓AI芯片的供應(yīng)得到了緩解,甚至雙方同時產(chǎn)能爬坡下,或許能進一步打破供應(yīng)僵局。
寫在最后
英特爾CEO Pat Gelsinger對Intel Foundry的團隊似乎充滿了信心,至少照目前的狀態(tài)來看,生產(chǎn)制造的計劃都符合預(yù)期。但從技術(shù)和商業(yè)的角度來看,這還遠遠不能代表結(jié)果。首先,對于芯片設(shè)計者來說,他們在評估工藝的時候會更加謹慎,尤其是對比不同晶圓代工廠之間的PPA、良率和產(chǎn)能等。而在商業(yè)上,英特爾還需要取得一定程度的信任,在某個大客戶的產(chǎn)品上獲得一次不小的成功,這樣才有可能吸引更多的客戶。
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