導(dǎo)航定位系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)采集位置數(shù)據(jù)，并將這些數(shù)據(jù)按照一定頻率采樣寫入非易失存儲(chǔ)器中。導(dǎo)航芯片普遍采用外掛獨(dú)立式存儲(chǔ)芯片（比如Flash）的架構(gòu)，極大地限制了整體系統(tǒng)的小型化和位置數(shù)據(jù)采樣記錄頻率、抗噪能力的提升，并存在數(shù)據(jù)安全隱患。

使用MRAM HS4MANSQ1A-DS1高耐擦寫特性可以提升導(dǎo)航芯片的數(shù)據(jù)采樣寫入頻率（從1分鐘/次至少提升到1秒/次）；HS4MANSQ1A-DS1的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)可拓展性可以滿足導(dǎo)航芯片在28/22納米工藝節(jié)點(diǎn)片上集成非易失存儲(chǔ)取代外掛存儲(chǔ)的需求，并進(jìn)一步降低功耗，提升數(shù)據(jù)安全。

HS4MANSQ1A-DS1是一個(gè)SPI/QPI接口4M容量的MRAM，芯片可以配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，數(shù)據(jù)可以保持10年以上。工作溫度: -40℃~125℃，適用于低電壓工作，休眠電流僅2μA，待機(jī)電流2mA，在導(dǎo)航定位系統(tǒng)中，提供更優(yōu)異的性能與更長的續(xù)航時(shí)間。

快速的SPI接口：

?支持標(biāo)準(zhǔn)SPI, Quad SPI, QPI模式

?高達(dá)200MHz時(shí)鐘頻率@SPI SDR寫

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@SPI SDR讀

?高達(dá)60MHz時(shí)鐘頻率@Quad SPI SDR寫

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@Quad SPI SDR讀

?高達(dá)60MHz時(shí)鐘頻率@QPI SDR寫

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@QPI SDR讀

?寫操作沒有延遲

因此，MRAM非常適合導(dǎo)航定位這類需要實(shí)時(shí)記錄/分析數(shù)據(jù)的應(yīng)用場(chǎng)景。

注：如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。