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英飛凌PA柵壓管理解決方案助力5G基站建設(shè)

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-01-19 11:17 ? 次閱讀
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隨著全球進(jìn)入5G網(wǎng)絡(luò)時代,針對5G MIMO基站射頻端子系統(tǒng),英飛凌推出一片式高集成度PA控制解決方案-----BGMC1210 PA柵壓管理芯片。BGMC1210是英飛凌推出的一款高集成度的功放柵壓管理芯片,主要應(yīng)用于RF PA的柵壓管理。芯片內(nèi)部集成8路高精度DAC,可通過編程提供精確的正電壓或負(fù)電壓,適用于LDMOS和GaN類PA;集成開關(guān),實現(xiàn)PA TDD模式控制,并提供PA多種關(guān)斷電壓模式選擇;集成電壓電流檢測功能,可支持最高60V供電的電壓和電流檢測;集成溫度傳感器,溫度補(bǔ)償表;支持I2C和I3C 通信模式。

隨著全球進(jìn)入5G網(wǎng)絡(luò)時代,針對5G MIMO基站射頻前端子系統(tǒng),英飛凌推出一片式高集成度PA控制解決方案-----BGMC1210 PA柵壓管理芯片。

1 BGMC1210 功能框圖

wKgZomWp6b-ABFi1AAIE937g_Y0556.png

BGMC1210框圖

BGMC1210是英飛凌推出的一款高集成度的功放柵壓管理芯片,主要應(yīng)用于RF PA的柵壓管理。芯片內(nèi)部集成8路高精度DAC,可通過編程提供精確的正電壓或負(fù)電壓,適用于LDMOS和GaN類PA;集成開關(guān),實現(xiàn)PA TDD模式控制,并提供PA多種關(guān)斷電壓模式選擇;集成電壓電流檢測功能,可支持最高60V供電的電壓和電流檢測;集成溫(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)度傳感器,溫度補(bǔ)償表;支持I2C和I3C 通信模式。

2 BGMC1210功能特點

2.1 支持LDMOS 和GaN PA

wKgaomWp6b-AaqNTAAJhrLJ2I0g080.png


BGMC1210 典型應(yīng)用電路

BGMC1210 提供2組共8路12bit DAC輸出,能滿足兩路Doherty PA driver級和final級的柵壓需求。可提供正電壓和負(fù)電壓,支持LDMOS和GaN PA應(yīng)用。

2.2 TDD控制和關(guān)斷電壓

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TDD開關(guān)控制和關(guān)斷電壓

BGMC1210集成TDD控制開關(guān),實現(xiàn)PA 柵壓的TDD切換。可提供三種關(guān)斷電壓選擇,如內(nèi)部buffer電壓,奇數(shù)路DAC電壓和Vref電壓。

2.3 集成PA電壓電流檢測功能

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BGMC1210電壓電流檢測框圖

BGMC1210 可同時檢測PA供電電壓和電流,內(nèi)部集成12bit ADC用于檢測PA電流,11bit ADC用于檢測PA電壓,最高可支持60V。12bit ADC 提供不同量程選擇,用戶可根據(jù)具體不同Rshunt電阻值,靈活選擇量程。

2.4 集成溫度傳感器和溫度補(bǔ)償表

wKgZomWp6caABg7NAAEpeVPXBbY822.png

BGMC1210 DAC 溫度補(bǔ)償示例

BGMC1210內(nèi)部集成溫度傳感器,可提供-40℃~+160℃的溫度檢測。

BGMC1210同時集成溫度補(bǔ)償表,用戶可根據(jù)需要,對DAC電壓進(jìn)行補(bǔ)償,以滿足PA柵壓的溫補(bǔ)需求。

2.5 支持I2C和I3C通信模式

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wKgZomWp6caAEcMvAABOk2LZgXc837.png

I2C 地址選擇

BGMC1210支持I2C通信模式,一組I2C總線可掛載最多8片BGMC1210。

wKgaomWp6ceAUH8eAAJHaX7_3XY439.png


I3C DDR模式時序圖

BGMC1210支持I3C 通信模式,SDR模式最高支持12.5Mbit/s,DDR模式最高支持25Mbit/s。

3 BGMC1210主要參數(shù)

BGMC1210主要參數(shù)參見上表,產(chǎn)品詳細(xì)資料可登錄英飛凌官網(wǎng)下載。https://www.infineon.com/cms/en/product/rf/bias-and-control-ic/

4 結(jié)語

英飛凌是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司,致力于打造一個更加便利、安全和環(huán)保的世界。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案,實現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無線通信,連接現(xiàn)實與數(shù)字世界。英飛凌擁有全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造工藝和設(shè)計能力,將會在5G基站射頻領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力,并計劃推出更多,更好的產(chǎn)品,助力5G基站建設(shè)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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