最近，Imec 公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開關(guān)能量低于 100 飛焦耳，耐用性超過 10 的 15 次方。

這些結(jié)果使得 SOT-MRAM 成為替代 SRAM 作為高性能計算 (HPC) 應(yīng)用中最后一級緩存的有希望的候選者。就像 SRAM 一樣，它提供高開關(guān)速度（在亞納秒范圍內(nèi)）和無限的耐用性。

此外，由于是非易失性，SOT-MRAM 位單元在高單元密度下可實現(xiàn)比 SRAM 更低的待機功耗。此外，SOT-MRAM 位單元可以做得比 SRAM 單元小得多，從而轉(zhuǎn)化為更高的位封裝密度。

Imec 通過實驗探索了在 300mm 晶圓上加工的單垂直 SOT-MRAM 器件的擴展?jié)摿途窒扌裕@是有史以來第一個關(guān)于 SOT-MRAM 器件擴展性的研究報告。在 IEDM 2023 上，他們表明，縮小 SOT 軌道不僅減少了 SOT-MRAM 單元的占地面積，而且還大大提高了單元的性能和可靠性。

SOT 軌道是由鎢 (W) 或鉑 (Pt) 等金屬制成的層，位于磁性隧道結(jié) (MTJ)（SOT-MRAM 器件的實際開關(guān)元件）下方。SOT 軌道用作面內(nèi)電流注入層，引入它是為了解耦讀取和寫入路徑。

“在傳統(tǒng)的 SOT-MRAM 設(shè)計中，SOT 軌道占用的面積大于實際 MTJ 柱的占地面積，為覆蓋過程控制提供足夠的余量，”imec 磁學(xué)項目總監(jiān) Sebastien Couet 解釋道。“但這會導(dǎo)致能量浪費，因為部分電流會流到 MTJ 區(qū)域之外。我們將 SOT-MRAM 器件擴展至極限，SOT 軌道和 MTJ 柱具有相當(dāng)?shù)某叽纾ㄅR界尺寸約 50 納米）。對于這些器件，我們觀察到每比特的開關(guān)能量低于 100 飛焦耳 (fJ)，即與傳統(tǒng)設(shè)計相比減少了 63%。這有助于解決 SOT-MRAM 的剩余挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)上 SOT-MRAM 需要高電流進(jìn)行寫入操作。”

縮放 SOT 軌道可以提高存儲器的耐用性，因為它可以減少 SOT 層內(nèi)的焦耳熱。

“憑借超過 1015 個編程/擦除周期的耐用性，我們通過實驗驗證了我們的假設(shè)，即 SOT-MRAM 單元可以具有無限的耐用性——這是緩存存儲器的重要要求，”Couet 說。

“我們的數(shù)據(jù)為電路設(shè)計人員提供了寶貴的輸入，以便在先進(jìn)節(jié)點上執(zhí)行 SOT-MRAM 技術(shù)的設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO)——性能改進(jìn)和設(shè)計裕度之間的權(quán)衡。未來的工作重點是材料工程，以進(jìn)一步降低每位的開關(guān)能量，并優(yōu)化位單元配置，以進(jìn)一步縮小與 SRAM 相比的單元面積。從長遠(yuǎn)來看，這些經(jīng)驗也將轉(zhuǎn)移到電壓門控 (VG) SOT-MRAM 多柱器件的開發(fā)中——imec 針對高密度嵌入式存儲器應(yīng)用的終極解決方案。”Sebastien Couet 補充道。

我們將見證SRAM的死亡?

今年，第 68 屆年度 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 全面恢復(fù)，來自世界各地的近 1,500 名工程師（親臨現(xiàn)場）每年都會返回舊金山市中心，討論半導(dǎo)體行業(yè)的最新發(fā)展。雖然學(xué)術(shù)界和工業(yè)界都有大量有趣的論文，但臺積電的那篇論文帶來了可怕的壞消息——雖然邏輯仍在或多或少地沿著歷史趨勢線擴展，但 SRAM 擴展似乎已經(jīng)完全崩潰。

在會議上，臺積電談到了原始基礎(chǔ) N3 (N3B) 節(jié)點以及增強型 (N3E)，后者是N3B 稍微寬松一些的變體。臺積電展示原型測試芯片配備了一個由超過 35 億個晶體管和一個可完全運行的 256Mbit SRAM 宏組成的邏輯電路（圖 1）。SRAM 存儲單元面積為 0.0199μm 2，是有史以來最小的。我們確認(rèn) SRAM 宏即使在 0.5V 的電壓下也能完美工作（圖 2）。

有趣的是，對于新的 N3E 節(jié)點，高密度 SRAM 位單元尺寸達(dá)到 0.021 μm2，這與他們的 N5 節(jié)點的位單元大小完全相同，并沒有縮小。N3B 變體預(yù)計不會進(jìn)入太多產(chǎn)品，但確實具有縮放 SRAM 位單元；然而，在 0.0199μm2 時，它僅縮小了 5%（或縮小了 0.95 倍）。

就粗略的內(nèi)存密度而言（假設(shè) ISO 輔助電路開銷），N3E 大致為 31.8 Mib/mm2，并將增加到 33.55 Mib/mm2 或 1.75 Mib/mm2（230 KB）的改進(jìn)。

這是一些嚴(yán)重的壞消息！從這個角度來看，雖然據(jù)說 N3B 和 N3E 都提供了 1.6 倍和 1.7 倍的芯片級晶體管縮放，但 SRAM 的 1.0 倍和 1.05 倍縮放是災(zāi)難性的。現(xiàn)在，我們?nèi)匀幌Ｍ_積電在某個時候為 N3 推出更密集的 SRAM 位單元變體，我們確實希望在未來看到 SRAM 的某種程度的微縮，但好的舊微縮 SRAM 微縮似乎已經(jīng)死了。

考慮一個假設(shè)的 100 億晶體管芯片，其中包含 40% 的 SRAM 和 60% 的邏輯，位于 TSMC N16 上。忽略實際限制和模擬/物理/等，這樣一個假設(shè)的芯片將約為 255 平方毫米，其中 45 平方毫米或 17.6% 用于 SRAM。將完全相同的芯片縮小到 N5 將產(chǎn)生一個 56 平方毫米的芯片，其中 12.58 平方毫米或占芯片的 22.5% 用于 SRAM。將芯片進(jìn)一步縮小到 N3（基于我們最初但未完全確認(rèn)的值）將產(chǎn)生一個 44 平方毫米的芯片，其 SRAM 密度相同為 12.58 平方毫米，現(xiàn)在占面積的近 30%。

當(dāng)然，這種影響不會在所有方面都感受到同樣的影響。芯片上 SRAM 和緩存的百分比因目標(biāo)市場和整體能力而異。然而，對于一些 AI 硬件初創(chuàng)公司來說，架構(gòu)要求芯片的很大一部分被 SRAM 覆蓋，這些工程師將比其他人更快地遇到更多挑戰(zhàn)。

SRAM 微縮的崩潰并不僅限于臺積電。我們已經(jīng)指出 SRAM 縮放速度變慢的問題已經(jīng)有一段時間了。例如，雖然英特爾仍在縮減其 SRAM 位單元，但該公司最近宣布的Intel 4 進(jìn)程SRAM 縮放比例已從歷史上的 0.5-0.6 倍放緩至 0.7-0.8 倍。對于 Intel 4，我們的估計密度（ISO 輔助電路開銷與 TSMC 相比）為 27.8 Mib/mm2 或 4 Mib/mm2 或落后 13%。期望 Intel 的 Intel 3 工藝能夠匹敵或擊敗它們并非不切實際。

那么，我們該何去何從？事實上，目前唯一可行的 SRAM 替代品就是更多的 SRAM，因此我們預(yù)計 SRAM 會直接占用更多的面積。這并不是說我們不期望更多的 SRAM 擴展。雖然我們確實希望臺積電和其他代工廠生產(chǎn)更密集的 SRAM，但歷史上的擴展似乎已經(jīng)正式結(jié)束。Imec 等一些研究機構(gòu)提出了更高密度的 SRAM 位單元。例如，在去年的 IEDM 2021 上，Imec 在一個假設(shè)的“超越 2 納米節(jié)點”上展示了大約 60 Mib/mm2 的 SRAM 密度，大約是今天密度的兩倍，該節(jié)點使用utilizing forksheet晶體管和先進(jìn)的雙面互連方案。

除了 SRAM，業(yè)界一直在研究許多其他替代內(nèi)存架構(gòu)。新興的內(nèi)存技術(shù)包括 MRAM、FeRAM、NRAM、RRAM、STT-RAM、PCM 等。與 SRAM 相比，這些新興的內(nèi)存位單元提供了獨特的權(quán)衡，例如在較低的讀/寫規(guī)范下具有更高的密度、非易失性能力、較低的讀寫周期能力，或者在可能較低的密度或速度下具有較低的功耗。雖然它們不是 SRAM 的直接替代品，但向前發(fā)展它們可能會扮演 4 級或 5 級緩存的角色，其中較低的性能權(quán)衡可以通過更高的密度來抵消。

目前，該行業(yè)似乎已經(jīng)到了一個有趣的拐點。

審核編輯：劉清