據(jù)悉，臺積電和英特爾等公司近期將當(dāng)前的生產(chǎn)技術(shù)推向極限，新材料與更為先進(jìn)的化學(xué)產(chǎn)品正逐漸成為芯片制造業(yè)的重心。

美國半導(dǎo)體設(shè)備及材料制造商英特格和默克公司的高層管理人員近日探討了全球芯片競爭環(huán)境如何隨著摩爾定律放緩而改變。

Entegris首席技術(shù)官詹姆斯奧尼爾博士闡述道，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)生產(chǎn)工藝已非僅依賴于芯片制造設(shè)備，而是更多期待于先進(jìn)材料以及清潔解決方案的突破，他斷言：“我堅(jiān)信材料創(chuàng)新才是提升性能的主推動力。”

默克電子業(yè)務(wù)首席執(zhí)行官凱貝克曼也深表贊同，他提到：“我們正在從以設(shè)備為主導(dǎo)的技術(shù)發(fā)展時(shí)期轉(zhuǎn)向未來十年的‘材料之年’。雖然設(shè)備依然關(guān)鍵，但是現(xiàn)在的主導(dǎo)因素是材料。”

預(yù)計(jì)到2025年，晶圓大規(guī)模生產(chǎn)2納米節(jié)點(diǎn)的競爭將愈演愈烈，以臺積電、三星和英特爾為首的企業(yè)正在領(lǐng)跑。此外，復(fù)雜程度更高的芯片亦有望問世。

與此同時(shí)，包括三星、 SK海力士和美光在內(nèi)的存儲芯片巨頭也在借助于3D NAND閃存尋求技術(shù)突破，規(guī)劃著達(dá)到500層芯片的生產(chǎn)量級。目前，這三大供應(yīng)商已成功突破230層的芯片制造紀(jì)錄。

這兩大領(lǐng)域的持續(xù)飛速發(fā)展亟需高端設(shè)備輔佐、全新尖端材料庫的注入。而未來的半導(dǎo)體趨勢將聚焦于環(huán)柵（GAA）型晶體管構(gòu)成的新型晶體管設(shè)計(jì)，開發(fā)這種新材料需求具備覆蓋面廣、層間精細(xì)的特點(diǎn)。

奧尼爾提出，目前業(yè)界正在研發(fā)在原子水平上能滿足要求的新型材料。而且，化學(xué)物質(zhì)在確保穩(wěn)定質(zhì)量中的重要性也日益凸顯，因?yàn)樗苯佑绊懝S生產(chǎn)的良品率，從而決定了哪一家公司具備市場競爭力。

默克公司的貝克曼進(jìn)一步解釋道，該行業(yè)材料選擇已經(jīng)發(fā)生變化——越來越多地使用鉬或其他新材料來取代傳統(tǒng)工藝中的銅材質(zhì)。然而，持續(xù)創(chuàng)新也意味著成本攀升。據(jù)國際商務(wù)策略有限公司預(yù)測，每塊2納米晶圓的價(jià)值可能高達(dá)3萬美元，較上一代產(chǎn)品（如iPhone 15 Pro 的3納米處理器）增長了大約50%。