女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

源極和漏極的區(qū)別

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-12-07 15:48 ? 次閱讀

源極和漏極的區(qū)別

源極和漏極是晶體管中的兩個(gè)重要極,它們?cè)诰w管的工作過程中起著關(guān)鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:電流流向、電位關(guān)系、電壓控制、功率損耗和應(yīng)用場(chǎng)景。

首先,源極和漏極的電流流向不同。在NPN型晶體管中,源極是負(fù)極性,電流從源極流入,而從漏極流出,形成電子的流動(dòng)路徑。而在PNP型晶體管中,源極是正極性,電流從漏極流入,從源極流出。

其次,源極和漏極的電位關(guān)系不同。在晶體管的放大作用中,源極是基極和發(fā)射極之間的電壓間接地提供給晶體管的,它起到控制晶體管輸入電流的作用。漏極則是負(fù)責(zé)傳輸晶體管的輸出電流,它在電壓放大過程中一般是接地的,起到輸出電流的路徑選擇作用。

再次,源極和漏極的電壓控制方式不同。源極電壓對(duì)于晶體管的工作起著直接控制作用,控制源極電壓可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管的開關(guān)控制。而漏極電壓則主要是用于提供電流放大功能,對(duì)于漏極電流的控制并無直接作用。

此外,源極和漏極還存在一定的功率損耗差異。在正常工作狀態(tài)下,晶體管的電流會(huì)經(jīng)過源極和漏極之間的電阻,導(dǎo)致功率損耗。而根據(jù)源極和漏極的位置不同,電導(dǎo)性能也會(huì)有所不同,因此兩者在功率損耗上也會(huì)存在差異。

最后,源極和漏極在應(yīng)用場(chǎng)景上有一定的區(qū)別。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,源極和漏極被廣泛應(yīng)用于各類放大器電路、開關(guān)電路和邏輯電路中。在放大器電路中,源極和漏極起到信號(hào)放大的作用;在開關(guān)電路中,源極和漏極用于控制電路的開關(guān)狀態(tài);在邏輯電路中,源極和漏極用于完成邏輯運(yùn)算。因此,源極和漏極在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中,扮演著不同的角色。

綜上所述,源極和漏極在晶體管的工作中有著重要的作用,它們?cè)陔娏髁飨颉㈦娢魂P(guān)系、電壓控制、功率損耗和應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在著一定的區(qū)別。明確了這些區(qū)別,有助于深入理解晶體管的工作原理以及其在電路中的應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9979

    瀏覽量

    140651
  • 電壓控制
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    116

    瀏覽量

    23183
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    CCG5的VBUS_C_CTRL引腳預(yù)計(jì)是開路輸出,但在這種情況下,電流有多大?

    CCG5 的 VBUS_C_CTRL 引腳預(yù)計(jì)是開路輸出,但在這種情況下,電流有多大?
    發(fā)表于 05-22 07:06

    FinFet Process Flow-是怎樣形成的

    本文介紹了FinFet Process Flow-是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝中,當(dāng)完成偽柵極結(jié)構(gòu)后,接下來的關(guān)鍵步驟是形成
    的頭像 發(fā)表于 01-17 11:00 ?905次閱讀
    FinFet Process Flow-<b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>漏</b><b class='flag-5'>極</b>是怎樣形成的

    MOSFET電路柵GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析

    MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET兩端的電壓超過了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的
    的頭像 發(fā)表于 11-15 18:25 ?9834次閱讀
    MOSFET電路柵<b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b>GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析

    管和MOS管有什么區(qū)別

    管和MOS管是電子電路中常見的兩種元器件,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和用途。以下是三管和MOS管的主要區(qū)別: 一、控制方式不同 三管:是電流控制型器件。三
    發(fā)表于 11-15 09:34

    vdmos和mos有什么區(qū)別

    的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其特點(diǎn)是在硅片上通過垂直方向的擴(kuò)散形成和柵極。這種結(jié)構(gòu)使得Vdmos具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 09:49 ?2200次閱讀

    光電三管與發(fā)光二管的區(qū)別

    光電三管(也稱為光敏三管)與發(fā)光二管在性質(zhì)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及結(jié)構(gòu)特征等方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)分析:
    的頭像 發(fā)表于 09-24 11:10 ?1377次閱讀

    mos管電流相等嗎

    MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成:(Source)、(Drain)
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:58 ?2315次閱讀

    mos管連續(xù)電流是什么

    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)電流是指在MOS管連續(xù)工作狀態(tài)下,從
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:56 ?3439次閱讀

    mos管電壓增大,為什么溝道變窄

    MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)來控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中,電壓(Vd)是指
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:52 ?2410次閱讀

    晶體管的極有什么區(qū)別

    在探討晶體管的(Drain)與(Source)的區(qū)別時(shí),我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管,尤其是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FE
    的頭像 發(fā)表于 08-13 17:16 ?7935次閱讀

    肖特基二管與其他二管的區(qū)別

    肖特基二管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢(shì)壘二管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二管(如普通二管、鍺二
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?8982次閱讀

    MOS管是什么意思

    (Source, S)和(Drain, D)是兩個(gè)關(guān)鍵的電極,它們與柵極(Gate, G)共同構(gòu)成了MOS管的基本結(jié)構(gòu)。以下是對(duì)MOS管
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:21 ?8855次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管柵電壓的影響因素

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過改變柵電壓(Vgs)來控制
    的頭像 發(fā)表于 07-14 09:16 ?3299次閱讀

    可抑制尖峰電壓的電路及設(shè)計(jì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《可抑制尖峰電壓的電路及設(shè)計(jì).docx》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 06-17 14:08 ?7次下載

    為什么電源加在PMOS的極不是

    如圖所示,USB和鋰電池雙供電電路。 當(dāng)VUSB進(jìn)行供電時(shí)(5V),PMOS的G端:為5V,此時(shí)PMOS不導(dǎo)通,電壓經(jīng)過二管D1直接到達(dá)VCC。 當(dāng)VUSB斷開后,PMOS的G端的電壓(5V)由
    發(fā)表于 06-11 15:21