有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。

在指定的電壓和電流額定值范圍內(nèi)運(yùn)行 SiC MOSFET可以有效的利用瞬態(tài)電壓抑制器、電流限制器和過流保護(hù)機(jī)制等保護(hù)電路可以有效保護(hù) MOSFET 免受電壓和電流相關(guān)故障的影響。

SiC MOSFET需要精確且設(shè)計(jì)良好的柵極驅(qū)動(dòng)電路，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓不足或柵極-源極電容不足會(huì)導(dǎo)致開關(guān)不完全，導(dǎo)致器件功耗過大和熱應(yīng)力過大，因此設(shè)計(jì)具有適當(dāng)電壓電平的柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極電阻器和與SiC技術(shù)兼容的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于MOSFET的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。

在器件處理、組裝和操作期間，應(yīng)遵循 ESD 安全協(xié)議并使用適當(dāng)?shù)?ESD 保護(hù)設(shè)備以防止靜電放電造成的損害。

SiC MOSFET可能會(huì)暴露在各種環(huán)境因素中，例如濕氣、濕氣、灰塵和腐蝕性氣體，具體取決于應(yīng)用，使用適當(dāng)?shù)耐鈿?、保形涂層或保護(hù)措施保護(hù) MOSFET 免受這些不利環(huán)境條件的影響對(duì)于確保其長期可靠性和防止因環(huán)境因素導(dǎo)致的故障至關(guān)重要。

防止SiC MOSFET發(fā)生故障需要特別注意熱管理、電壓和電流限制、正確的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、ESD 保護(hù)和環(huán)境考慮因素。

堅(jiān)持最佳實(shí)踐并實(shí)施穩(wěn)健的保護(hù)措施將有助于SiC MOSFET在電力電子系統(tǒng)中的長期可靠性和最佳性能。