1 寫在前面

最近做了個(gè)低壓帶隙基準(zhǔn)電壓源課設(shè)，分享一下兩個(gè)經(jīng)典電路的溫度特性結(jié)果分析，分別是一階溫度補(bǔ)償和二階的。其余運(yùn)放、啟動(dòng)電路、參數(shù)以及所有仿真結(jié)果等期末結(jié)束把課設(shè)報(bào)告單獨(dú)發(fā)一個(gè)。課設(shè)指標(biāo)要求如下：

2 一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)

本次用到的一階補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)Banba教授1999年提出的[1]，拉扎維教授的書12.7節(jié)也詳細(xì)介紹了這個(gè)電路[3]，也可以參考胡濱前輩的碩士學(xué)位論文[2]，介紹的非常詳細(xì)。核心電路如下：

運(yùn)放用的是二級(jí)密勒補(bǔ)償運(yùn)放。調(diào)節(jié)R1可以線性補(bǔ)償溫度特性，溫度特性調(diào)整完畢后，調(diào)整R4完成輸出基準(zhǔn)電壓值的調(diào)節(jié)。在溫度特性曲線界面用計(jì)算器輸入公式計(jì)算溫度系數(shù)，TC=(ymax(VS("/vref"))-ymin(VS("/vref")))/(average(VS("/vref"))*165)*1000000。TSMC180nm工藝下，仿真溫度特性曲線如下（TC=5.897ppm/℃）：

3 二階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)

本次用到的二階補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)基于文獻(xiàn)[4][5]，除了加入的二階補(bǔ)償電路，其余與一階的一樣，核心電路如下：

調(diào)節(jié)R0完成一階線性補(bǔ)償，R45完成ln項(xiàng)補(bǔ)償，溫度補(bǔ)償完后調(diào)節(jié)R3完成輸出基準(zhǔn)值調(diào)節(jié)。candence仿真測(cè)試電路以及溫度特性曲線如下（TC=2.438ppm/℃）：

4 提高輸出精度

基準(zhǔn)輸出值trans仿真會(huì)非常不穩(wěn)定，加一個(gè)RC低通濾波器和單位增益buffer輸出精度就會(huì)更加高[2]。仿真電路和結(jié)果對(duì)比如下：

紅色圖為0.5s瞬態(tài)仿真VBG，粉色為接了RC+buffer后的Vout，明顯提高了精度，RC越大，輸出精度越高，但是面積也損失了很多，需要trade-off。buffer還是同樣的兩級(jí)密勒補(bǔ)償運(yùn)放。

5 總結(jié)

a.順序：設(shè)計(jì)運(yùn)放-設(shè)計(jì)偏置電路-調(diào)節(jié)電阻調(diào)溫度系數(shù)-調(diào)節(jié)電阻調(diào)節(jié)輸出基準(zhǔn)值。

b.底下的兩篇碩士論文介紹很詳細(xì)，值得入門者閱讀。

c. 二階溫度補(bǔ)償確實(shí)提升了一倍的溫度系數(shù)。其余仿真結(jié)果期末結(jié)束再上傳。