憶阻器基礎研究測試
憶阻器是一種具有電荷記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變化可改變其阻值，自從2008年HP公司制備出了憶阻器，科學家們意識到憶阻器的優勢和作用，所以現在也有很多院所開始進行憶阻器的研究
憶阻器研究分為基礎性能研究測試，神經突觸/神經元測試以及陣列測試，今天主要介紹一下基礎研究測試
基礎研究分為四步，分別是Forming 前后特性驗證、直流特性測試、交流特性測試、脈沖特性測試;
憶阻器直流特性測試通常與 Forming 結合，主要測試憶阻器直流 V-I 曲線，并以此推算 SET/ RESET 電壓 / 電流、HRS、LRS 等憶阻器重要 參數，可以進行單向掃描或雙向掃描。
憶阻器交流特性主要進行捏滯回線的測試，捏滯 回線是鑒別憶阻器類型的關鍵.
憶阻器脈沖測試能有效地減小直流測試積累的焦 耳熱的影響，同時，也可以用來研究熱量對器件 性能的影響。由于憶阻器表征技術正向極端化發 展，皮秒級脈沖擦寫及信號捕捉的需求日益強烈。
如果要進行基礎測試需要的儀器有：信號發生器，源表，電源以及示波器
審核編輯 黃宇
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