IGBT動(dòng)態(tài)測試參數(shù)有哪些?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性和性能,動(dòng)態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測試的參數(shù)。
1. 開通特性測試(Turn-on Characteristics Test):
開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號,來檢測其從關(guān)斷狀態(tài)到通態(tài)狀態(tài)的時(shí)間和性能。以下是開通特性測試的參數(shù):
1.1 開通時(shí)間(Turn-on time):指的是從關(guān)斷狀態(tài)開始,IGBT完全進(jìn)入通態(tài)狀態(tài)所需要的時(shí)間。通常使用上升沿的時(shí)間來測量。
1.2 開通電流(Turn-on current):指的是IGBT進(jìn)入通態(tài)狀態(tài)時(shí)的電流大小。通常使用正向電流測量。
1.3 開通電壓(Turn-on voltage):指的是IGBT進(jìn)入通態(tài)狀態(tài)時(shí)的電壓大小。
1.4 開通電荷(Turn-on charge):指的是IGBT進(jìn)入通態(tài)狀態(tài)所需的電荷量。通常用積分開關(guān)電流來測量。
2. 關(guān)斷特性測試(Turn-off Characteristics Test):
關(guān)斷特性測試是通過控制IGBT的輸入信號,來檢測其從通態(tài)狀態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)間和性能。以下是關(guān)斷特性測試的參數(shù):
2.1 關(guān)斷時(shí)間(Turn-off time):指的是從通態(tài)狀態(tài)開始,IGBT完全進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)所需要的時(shí)間。通常使用下降沿的時(shí)間來測量。
2.2 關(guān)斷電流(Turn-off current):指的是IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的電流大小。通常使用負(fù)向電流測量。
2.3 關(guān)斷電壓(Turn-off voltage):指的是IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的電壓大小。
2.4 關(guān)斷電荷(Turn-off charge):指的是IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)所需的電荷量。通常用積分關(guān)斷電流來測量。
3. 開關(guān)特性測試(Switching Characteristics Test):
開關(guān)特性測試是通過控制IGBT的輸入信號,來檢測其從關(guān)斷到通態(tài)或從通態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)的過渡性能。以下是開關(guān)特性測試的參數(shù):
3.1 開通失效時(shí)間(Turn-on failure time):指的是IGBT開通失敗時(shí)從開通狀態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)所需要的時(shí)間。
3.2 關(guān)斷失效時(shí)間(Turn-off failure time):指的是IGBT關(guān)斷失敗時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)到開通狀態(tài)所需要的時(shí)間。
3.3 開通/關(guān)斷電荷(Turn-on/turn-off charge):指的是在開通/關(guān)斷過程中所需的電荷量。通常用積分電流來測量。
3.4 開通/關(guān)斷電流(Turn-on/turn-off current):指的是在開通/關(guān)斷過程中的電流變化情況。
4. 功耗測試(Power Loss Test):
功耗測試是通過測量IGBT在工作過程中產(chǎn)生的功耗來評估其性能。以下是功耗測試的參數(shù):
4.1 開通功耗(Turn-on power loss):指的是IGBT開通過程中產(chǎn)生的功耗。
4.2 關(guān)斷功耗(Turn-off power loss):指的是IGBT關(guān)斷過程中產(chǎn)生的功耗。
4.3 開通損耗(Turn-on loss):指的是IGBT從關(guān)斷到通態(tài)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的能量損耗。
4.4 關(guān)斷損耗(Turn-off loss):指的是IGBT從通態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的能量損耗。
綜上所述,IGBT動(dòng)態(tài)測試的參數(shù)包括開通特性、關(guān)斷特性、開關(guān)特性和功耗特性等。通過對這些參數(shù)的詳盡測試和分析,可以評估IGBT的性能、穩(wěn)定性和可靠性,為IGBT的應(yīng)用提供重要的參考依據(jù)。
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1277文章
4027瀏覽量
253476
發(fā)布評論請先 登錄
IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測試中夾具雜散電感的影響

IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些?怎樣去精確測量這些參數(shù)呢?

什么是IGBT?IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)分別是什么?
揭秘推拉力測試機(jī):如何助力于IGBT功率模塊封裝測試?

同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測試中的應(yīng)用

MOSFET與IGBT的區(qū)別
IGBT雙脈沖測試原理和步驟
soc芯片測試有哪些參數(shù)和模塊
igbt功率管型號參數(shù)意義
IGBT的四個(gè)主要參數(shù)
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)
igbt模塊和igbt驅(qū)動(dòng)有什么區(qū)別
動(dòng)態(tài)追溯方法:徹底革新軟件測試

評論