韓國(guó)三星電子公司發(fā)布的財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，今年第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比下降77.57%，但超出了市場(chǎng)預(yù)期。同時(shí)，三星電子預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片需求將在第四季度出現(xiàn)回暖。

財(cái)報(bào)顯示，盡管第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比下滑，但環(huán)比增長(zhǎng)了262.6%。其中，存儲(chǔ)芯片虧損有所減少，移動(dòng)和顯示器部門的業(yè)績(jī)超出了預(yù)期。

三星電子的業(yè)績(jī)表現(xiàn)超出預(yù)期的主要原因是智能手機(jī)新品和高端顯示產(chǎn)品銷量的增加，以及半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門（DS部門）虧損收窄。

盡管三星電子仍未能恢復(fù)到一年前的水平，但與上一季度相比已經(jīng)有了顯著提升。

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)仍面臨沖突和地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、需求復(fù)蘇緩慢以及客戶庫(kù)存調(diào)整等不確定因素，復(fù)蘇前景依然不確定。然而，三星電子對(duì)需求逐漸穩(wěn)定改善的初步跡象持關(guān)注態(tài)度。

由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲(chǔ)芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長(zhǎng)，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。

數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash在第四季度的合約價(jià)格全面上漲，eMMC和UFS的漲幅約為10%-13%。此外，MobileDRAM的合約價(jià)格季度漲幅預(yù)計(jì)將擴(kuò)大13-18%。三星電子表示，隨著DRAM和NAND中高密度產(chǎn)品的客戶庫(kù)存調(diào)整已經(jīng)完成，未來個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備上的需求將有所改善。

編輯：黃飛